[发明专利]生长在铝箔衬底上的氮化铟纳米柱外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810027240.9 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108206130B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 高芳亮;李国强;张曙光;温雷 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/32;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 铝箔 衬底 氮化 纳米 外延 及其 制备 方法 | ||
1.生长在铝箔衬底上的InN纳米柱外延片，其特征在于：由下至上依次包括铝箔衬底、非晶态氧化铝层、AlN层和InN纳米柱层。
2.根据权利要求1所述生长在铝箔衬底上的InN纳米柱外延片，其特征在于：所述铝箔衬底的厚度为100-800μm。
3.根据权利要求1所述生长在铝箔衬底上的InN纳米柱外延片，其特征在于：所述铝箔为非晶或多晶材料。
4.根据权利要求3所述生长在铝箔衬底上的InN纳米柱外延片，其特征在于：所述铝箔含有Cu成分。
5.根据权利要求1所述生长在铝箔衬底上的InN纳米柱外延片，其特征在于：所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为30-80nm。
6.根据权利要求1～5任一项所述生长在铝箔衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)预处理：将表面氧化的铝箔进行预处理；
(2)原位退火处理：
(3)InN纳米柱层的生长：采用分子束外延生长工艺，衬底温度控制在400～700℃，在反应室的压力为4.0～10.0×10-5Torr，V/III束流比值为20～40条件下，在退火处理的铝箔衬底上生长AlN形核点，再在AlN上成核并生长InN纳米柱；退火处理的铝箔表面仍有非晶态氧化铝层。
7.根据权利要求6所述生长在铝箔衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述退火处理为将铝箔衬底置于分子束外延生长设备中，衬底温度控制在400～550℃，在反应室的压力为5.0～6.0×10-10Torr条件下，进行原位退火15～30分钟，得到退火处理的铝箔衬底。
8.根据权利要求6所述生长在铝箔衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述预处理为将铝箔抛光、打磨、清洗，得到预处理的铝箔衬底。
9.根据权利要求6所述生长在铝箔衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法，其特征在于：所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为30～80nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
