[发明专利]微发光二极管的转移方法、显示装置和电子设备有效
| 申请号： | 201810025652.9 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108257905B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 牛小龙;徐相英;孙龙洋;姜晓飞 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 261031 山东省潍坊*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种微发光二极管的转移方法、显示装置和电子设备，其中，微发光二极管的转移方法包括以下步骤：提供基板，基板上具有用于容纳第一微发光二极管的第一容置槽；在第一微发光二极管的受托面上沉积正电荷聚合物薄膜，在和第一容置槽的承托面上沉积负电荷聚合物薄膜，或在第一微发光二极管的受托面上沉积负电荷聚合物薄膜，在第一容置槽的承托面上沉积分别沉积正电荷聚合物薄膜和负电荷聚合物薄膜；转移第一微发光二极管至基板上，以使第一微发光二极管在正电荷聚合物薄膜和负电荷聚合物薄膜之间的静电引力下落入第一容置槽中。本发明技术方案简化了微发光二极管的转移工艺，降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 转移 方法 显示装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种微发光二极管的转移方法，其特征在于，所述微发光二极管的转移方法包括以下步骤：提供基板，所述基板上具有用于容纳第一微发光二极管的第一容置槽；在所述第一微发光二极管的受托面上沉积正电荷聚合物薄膜，在所述第一容置槽的承托面上沉积负电荷聚合物薄膜，或在所述第一微发光二极管的受托面上沉积负电荷聚合物薄膜，在所述第一容置槽的承托面上沉积正电荷聚合物薄膜；转移所述第一微发光二极管至所述基板上，以使所述第一微发光二极管在所述正电荷聚合物薄膜和所述负电荷聚合物薄膜之间的静电引力下落入所述第一容置槽中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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