[发明专利]微发光二极管的转移方法、显示装置和电子设备

权利要求书

1.一种微发光二极管的转移方法，其特征在于，所述微发光二极管的转移方法包括以下步骤：

提供基板，所述基板上具有第二容置槽及用于容纳第一微发光二极管的第一容置槽；

在所述第一微发光二极管的受托面上沉积正电荷聚合物薄膜，在所述第一容置槽的承托面上沉积负电荷聚合物薄膜，或在所述第一微发光二极管的受托面上沉积负电荷聚合物薄膜，在所述第一容置槽的承托面上沉积正电荷聚合物薄膜；

在所述第二容置槽的承托面上沉积与所述第一微发光二极管的受托面上电性相同的正电荷聚合物薄膜或负电荷聚合物薄膜，以避免所述第一微发光二极管落入所述第二容置槽中；

转移所述第一微发光二极管至所述基板上，以使所述第一微发光二极管在所述正电荷聚合物薄膜和所述负电荷聚合物薄膜之间的静电引力下落入所述第一容置槽中；

在转移完成所述第一微发光二极管之后，清洗所述基板以去除正电荷聚合物薄膜和负电荷聚合物薄膜。

2.如权利要求1所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，在转移所述第一微发光二极管至所述基板上，以使所述第一微发光二极管在所述正电荷聚合物薄膜和所述负电荷聚合物薄膜之间的静电引力下落入所述第一容置槽中的步骤之后，所述微发光二极管的转移方法还包括以下步骤：

将压件压设在所述基板上，以保持所述第一微发光二极管在所述第一容置槽中；

清洗所述基板，以去除所述正电荷聚合物薄膜和所述负电荷聚合物薄膜；

移除所述压件。

3.如权利要求2所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，所述第二容置槽用于容纳第二微发光二极管；

在移除所述压件的步骤之后，所述微发光二极管的转移方法还包括以下步骤：

在所述第二微发光二极管的受托面上沉积正电荷聚合物薄膜，在所述第二容置槽的承托面上沉积负电荷聚合物薄膜，或在所述第二微发光二极管的受托面上沉积负电荷聚合物薄膜，在所述第二容置槽的承托面上沉积正电荷聚合物薄膜；

转移所述第二微发光二极管至所述基板上，以使所述第二微发光二极管在所述正电荷聚合物薄膜和所述负电荷聚合物薄膜之间的静电引力下落入所述第二容置槽中。

4.如权利要求1至3中任一项所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，在所述第一微发光二极管的受托面上沉积正电荷聚合物薄膜或负电荷聚合物薄膜的步骤包括：

配制正电荷聚合物溶液或负电荷聚合物溶液；

提供支架，所述支架上开设有支撑通孔，所述支撑通孔的孔径小于所述第一微发光二极管的外径，将所述第一微发光二极管放置在所述支撑通孔中；

将放置有所述第一微发光二极管的所述支架浸在所述正电荷聚合物溶液或所述负电荷聚合物溶液中，以使所述正电荷聚合物溶液或所述负电荷聚合物溶液涂覆在所述第一微发光二极管的受托面上；

蒸发所述第一微发光二极管受托面上的正电荷聚合物溶液或负电荷聚合物溶液，以获取受托面沉积有正电荷聚合物薄膜或负电荷聚合物薄膜的第一微发光二极管。

5.如权利要求1至3中任一项所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，在所述第一容置槽的承托面上沉积正电荷聚合物薄膜或负电荷聚合物薄膜的步骤包括：

配制正电荷聚合物溶液或负电荷聚合物溶液；

提供掩板，所述掩板上开设有喷涂通孔，所述喷涂通孔与所述第一容置槽对应设置，将所述掩板覆设于所述基板上，并使所述喷涂通孔对准所述第一容置槽；

喷涂所述正电荷聚合物溶液或所述负电荷聚合物溶液至所述掩板上，以使所述正电荷聚合物溶液或所述负电荷聚合物溶液涂覆在所述第一容置槽的承托面上；

蒸发所述第一容置槽承托面上的正电荷聚合物溶液或负电荷聚合物溶液，以获取承托面沉积有正电荷聚合物薄膜或负电荷聚合物薄膜的第一容置槽。

6.如权利要求1至3中任一项所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，所述第一容置槽的内径与所述第一微发光二极管的外径的比值K满足50/49≤K≤10/9。