[发明专利]一种合成高纯SiC粉料的系统及方法有效
| 申请号： | 201810015693.X | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN108046267B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 杨昆;杨继胜;牛晓龙;刘新辉;路亚娟 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;C01B32/97 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种合成高纯SiC粉料的系统及方法，主要包括：供料系统和合成系统，所述合成系统的合成炉炉腔从上往下依次分为高温反应区、冷却区和粉料存储区，在所述高温反应区的炉壁上设有加热装置；在所述冷却区的炉壁上环布有多个载气入口，用于向所述炉腔内通入向上运动的载气，与经所述高温反应区下落的前驱物形成对流，降低所述前驱物的下落速度，使所述前驱物充分反应，生成SiC粉料，所述SiC粉料经所述载气换热冷却后落至所述粉料存储区；所述供料系统通过输送通道与所述合成炉的入料口相连通。本发明避免了前驱物在1800℃以上的高温合成过程中直接与石墨坩埚接触，避免了石墨坩埚对对合成的SiC粉料纯度的影响，并且实现了连续供料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合成 高纯 sic 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种合成高纯SiC粉料的系统，包括：供料系统和合成系统，其特征在于，所述合成系统包括：合成炉，其炉腔从上往下依次分为高温反应区、冷却区和粉料存储区，其中，在所述高温反应区的炉壁上设有加热装置；在所述冷却区的炉壁上环布有多个载气入口，用于向所述炉腔内通入向上运动的载气，与经所述高温反应区下落的前驱物形成对流，降低所述前驱物的下落速度，使所述前驱物充分反应，生成SiC粉料，所述SiC粉料经所述载气换热冷却后落至所述粉料存储区；所述供料系统通过输送通道与所述合成炉的入料口相连通，用于向所述炉腔内连续通入所述前驱物。
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