[发明专利]氮化镓基功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810012666.7 | 申请日： | 2018-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN109411580B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李丹丹 | 申请（专利权）人： | 深圳英嘉通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126 | 代理人： | 晋圣智 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化镓基功率器件及其制备方法，所述功率器件包括衬底以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、电子提供层、发光层、空穴提供层；所述衬底包括蓝宝石基板和在所述蓝宝石基板上形成的圆锥形图衬；所述缓冲层厚度小于圆锥形图衬顶部距离蓝宝石基板上表面的距离；所述电子提供层包括依次沉积在所述缓冲层上的本征层，掺杂层；本征层包括以纵向模式沉积的第一本征层和以横向模式沉积的第二本征层，第一本征层厚度和缓冲层厚度之和等于圆锥形图衬顶部距离蓝宝石基板上表面的距离。本发明提供的氮化镓基功率器件应力小，位错密度低，结晶质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基功率器件，其特征在于，所述功率器件包括衬底以及沉积在所述衬底上的缓冲层、沉积在所述缓冲层上的电子提供层、沉积在所述电子提供层上的发光层、沉积在所述发光层上的空穴提供层；所述衬底包括蓝宝石基板和在所述蓝宝石基板上形成的圆锥形图衬，所述圆锥形图衬均匀分布在蓝宝石基板上；所述缓冲层厚度小于圆锥形图衬顶部距离蓝宝石基板上表面的距离；所述电子提供层包括依次沉积在所述缓冲层上的本征层，掺杂层；所述本征层中不包含掺杂原子或者包含低浓度的掺杂原子，所述掺杂层包含高浓度的掺杂原子；本征层包括以纵向模式沉积的第一本征层，和以横向模式沉积的第二本征层，所述第一本征层厚度和缓冲层厚度之和等于圆锥形图衬顶部距离蓝宝石基板上表面的距离。
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