[发明专利]掺杂方法

摘要

本发明公开了一种掺杂方法，包括：在一第一导电类型衬底上形成一第二导电类型预掺杂层；在该第二导电类型预掺杂层上设置一第一掩膜；对该第一开放区域进行第一导电类型离子注入以中和该第一开放区域的第二导电类型掺杂；在该第二导电类型预掺杂层上设置一第二掩膜；对该第二开放区域进行第一导电类型离子注入以形成第一导电类型掺杂区，去除该第二掩膜，其中未经注入的第二导电类型预掺杂层为第二导电类型掺杂区，该第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区被中性区隔离开。在对IBC电池的背面进行掺杂时，引入了非晶硅或多晶硅，通过在非晶硅或多晶硅中的反型注入，来形成P区和N区之间的隔离。

主权项

1.一种掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在一第一导电类型衬底上形成一第二导电类型预掺杂层；S2：在该第二导电类型预掺杂层上设置一第一掩膜，该第二导电类型预掺杂层上未被该第一掩膜遮挡的区域为第一开放区域；S3：对该第一开放区域进行第一导电类型离子注入以中和该第一开放区域的第二导电类型掺杂，使得该第一开放区域呈中性状态，之后使该第一导电类型衬底离开该第一掩膜的作用区域；S4：在该第二导电类型预掺杂层上设置一第二掩膜，该第二导电类型预掺杂层上未被该第二掩膜遮挡的区域为第二开放区域，其中该第二开放区域与该第一开放区域重叠，该第二开放区域小于该第一开放区域；S5：对该第二开放区域进行第一导电类型离子注入以使得该第二开放区域形成第一导电类型掺杂区，之后使该第一导电类型衬底离开该第二掩膜的作用区域，其中未经注入的第二导电类型预掺杂层为第二导电类型掺杂区，只经历一次第一导电类型离子注入的第一开放区域为中性区，该第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区被中性区隔离开。