[发明专利]掺杂方法

权利要求书

1.一种掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在一第一导电类型衬底上形成一第二导电类型预掺杂层；

S2：在该第二导电类型预掺杂层上设置一第一掩膜，该第二导电类型预掺杂层上未被该第一掩膜遮挡的区域为第一开放区域；

S3：对该第一开放区域进行第一导电类型离子注入以中和该第一开放区域的第二导电类型掺杂，使得该第一开放区域呈中性状态，之后使该第一导电类型衬底离开该第一掩膜的作用区域；

S4：在该第二导电类型预掺杂层上设置一第二掩膜，该第二导电类型预掺杂层上未被该第二掩膜遮挡的区域为第二开放区域，其中该第二开放区域与该第一开放区域重叠，该第二开放区域小于该第一开放区域；

S5：对该第二开放区域进行第一导电类型离子注入以使得该第二开放区域形成第一导电类型掺杂区，之后使该第一导电类型衬底离开该第二掩膜的作用区域，其中未经注入的第二导电类型预掺杂层为第二导电类型掺杂区，只经历一次第一导电类型离子注入的第一开放区域为中性区，该第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区被中性区隔离开。

2.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，该第二导电类型预掺杂层为掺杂有第二导电类型掺杂元素的非晶硅或多晶硅。

3.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，该第二导电类型预掺杂层通过以下步骤形成：在该第一导电类型衬底上生长非晶硅或多晶硅，并原位掺杂第二导电类型掺杂元素。

4.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，该第二导电类型预掺杂层通过以下步骤形成：在该第一导电类型衬底上生长非晶硅或多晶硅，通过第二导电类型掺杂元素的离子注入在该非晶硅或多晶硅中形成第二导电类型掺杂，或者，

在该第一导电类型衬底上生长非晶硅或多晶硅，通过热扩散形成第二导电类型掺杂。

5.如权利要求1-4中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，该中性区的宽度为0.1μm-500μm，该第一导电类型掺杂区宽度10μm-3000μm，该第二导电类型掺杂区宽度10μm-3000μm。

6.如权利要求1-4中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，该第二导电类型预掺杂层的厚度5nm-500nm。

7.如权利要求1-4中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，第二导电类型预掺杂层为硼注入的非晶硅或多晶硅，注入剂量为5e14-5e15/cm²，注入能量为0.1keV-10keV，

或者，中性区的磷注入剂量为5e14-5e15/cm²，注入能量为0.1keV-10keV，

或者，第一导电类型掺杂区为磷注入的非晶硅或多晶硅，注入剂量为1e15-1e16/cm²，注入能量为0.1keV-10keV。

8.如权利要求1-4中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，该第一掩膜为具有若干第一狭缝的石墨、陶瓷、氧化硅、氧化铝、碳化硅或硅片，

该第二掩膜为具有若干第二狭缝的石墨、陶瓷、氧化硅、氧化铝、碳化硅或硅片，

该第一狭缝和该第二狭缝一一对应，且狭缝方向一致。

9.如权利要求8所述的掺杂方法，其特征在于，该第一狭缝的宽度为50μm-1000μm，相邻第一狭缝之间的间距为1mm-5mm，

或者，该第二狭缝的宽度为50μm-1000μm，相邻第二狭缝之间的间距为1mm-5mm。

10.如权利要求9所述的掺杂方法，其特征在于，该第一掩膜 到该第一导电类型衬底的距离为1mm-20mm，

或者，该第二掩膜 到该第一导电类型衬底的距离为1mm-20mm。