[发明专利]用于中子捕获治疗的射束整形体

摘要

为了改善中子射源的通量与品质，本发明的一个方面提供一种用于中子捕获治疗的射束整形体，其中，射束整形体包括靶材、邻接于靶材的缓速体、包围在缓速体外的反射体、与缓速体邻接的热中子吸收体、设置在射束整形体内的辐射屏蔽和射束出口，靶材与自射束入口入射的质子束发生核反应以产生中子，中子形成中子射束，中子射束限定一条轴线，缓速体将自靶材产生的中子减速至超热中子能区，反射体将偏离轴线的中子导回轴线以提高超热中子射束强度，缓速体和反射体之间设置间隙通道以提高超热中子通量，热中子吸收体用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过多剂量，辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量。

主权项

1.一种用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束整形体包括射束入口、靶材、邻接于所述靶材的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体、设置在所述射束整形体内的辐射屏蔽和射束出口，所述靶材与自所述射束入口入射的质子束发生核反应以产生中子，所述中子形成中子射束，所述中子射束限定一条轴线，所述缓速体将自所述靶材产生的中子减速至超热中子能区，所述缓速体具有靠近射束入口的第一侧和远离射束入口的第二侧，所述第一侧沿着所述轴线往所述射束入口的方向凸出所述靶材，所述第二侧沿着所述轴线往所述射束出口的方向凸出所述靶材，所述反射体将偏离所述轴线的中子导回所述轴线以提高超热中子射束强度，所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量。