[发明专利]用于中子捕获治疗的射束整形体

权利要求书

1.一种用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束整形体包括射束入口、靶材、邻接于所述靶材的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体、设置在所述射束整形体内的辐射屏蔽和射束出口，所述靶材容纳在所述缓速体内，所述射束入口、缓速体和射束出口均沿着中子射束轴线延伸，所述射束入口的一部分容纳在缓速体内，所述射束入口的另一部分容纳在反射体内，所述靶材与自所述射束入口入射的质子束发生核反应以产生中子，所述中子形成中子射束，所述中子射束限定一条轴线，所述缓速体将自所述靶材产生的中子减速至超热中子能区，所述缓速体具有靠近射束入口的第一侧和远离射束入口的第二侧，所述第一侧沿着所述轴线往所述射束入口的方向凸出于所述靶材，所述第二侧沿着所述轴线往所述射束出口的方向凸出于所述靶材，所述反射体将偏离所述轴线的中子导回所述轴线以提高超热中子射束强度，所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量。

2.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述缓速体设有至少一个远离射束出口的第一锥体状，所述第一侧为第一锥体状靠近射束入口的一侧，所述第一锥体状还包括远离射束入口的第三侧，所述第一锥体状的外轮廓沿着第三侧到第一侧整体趋势逐渐变小。

3.根据权利要求2所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述缓速体还设有与所述第一锥体状邻接且靠近射束出口的第二锥体状，所述第二侧为第二锥体状靠近射束出口的一侧，所述第二锥体状还包括远离射束出口的第四侧，所述第二锥体状的外轮廓沿着第四侧到第二侧整体趋势逐渐变小。

4.根据权利要求2所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述缓速体还设有与所述第一锥体状邻接且靠近射束出口的柱体状，所述第二侧为柱体状靠近射束出口的一侧。

5.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述缓速体设有至少一个远离射束出口的柱体状，所述第一侧为柱体状靠近射束入口的一侧。

6.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束整形体进一步用于加速器硼中子捕获治疗，加速器硼中子捕获治疗通过加速器将质子束加速，所述靶材由金属制成，所述质子束加速至足以克服靶材原子核库伦斥力的能量，与所述靶材发生核反应以产生中子。

7.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述缓速体和所述反射体之间设置未用实体覆盖的间隙通道以提高超热中子通量。

8.根据权利要求7所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束整形体还设有与所述缓速体邻接的热中子吸收体，所述间隙通道被所述反射体、所述缓速体和所述热中子吸收体包围。

9.根据权利要求7或8所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述靶材和所述间隙通道被所述缓速体间隔开。