[发明专利]一种五氧化二钒薄膜的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201810009321.6 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108232018A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 肖勋文;王乐佳;沈梁钧 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种五氧化二钒薄膜制备方法及其应用。它的制备方法，包括如下步骤：将含偏钒酸铵溶于乙二醇和二甲基亚砜混合溶液中，然后进行加热溶解，即得五氧化二钒前驱体溶液。旋涂前驱体溶液在ITO基片上后加热制得五氧化二钒薄膜。同时制备的五氧化二钒可以作为空穴传输层材料应用在太阳能电池中。本发明的五氧化二钒薄膜不仅平整均匀粗糙度低，且其制备方法安全、简单、成本低廉且环境友好。 | ||
| 搜索关键词： | 五氧化二钒薄膜 制备 前驱体溶液 五氧化二钒 空穴传输层材料 应用 二甲基亚砜 混合溶液中 均匀粗糙度 太阳能电池 环境友好 加热溶解 偏钒酸铵 旋涂 加热 平整 安全 | ||
【主权项】：
1.一种五氧化二钒薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将偏钒酸铵置于二甲基亚砜和乙二醇的混合溶剂中，加热溶解，制得五氧化二钒的前驱体溶液；接着将该前驱体溶液自然冷却至室温后待用；(2)采用旋涂的方法将该五氧化二钒的前驱体溶液旋涂在基片上；(3)将旋涂好的膜放在加热板上，200～300度加热45～60min，制得所述五氧化二钒薄膜。
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