[发明专利]一种五氧化二钒薄膜的制备方法及其应用在审
申请号: | 201810009321.6 | 申请日: | 2018-01-05 |
公开(公告)号: | CN108232018A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 肖勋文;王乐佳;沈梁钧 | 申请(专利权)人: | 宁波工程学院 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 五氧化二钒薄膜 制备 前驱体溶液 五氧化二钒 空穴传输层材料 应用 二甲基亚砜 混合溶液中 均匀粗糙度 太阳能电池 环境友好 加热溶解 偏钒酸铵 旋涂 加热 平整 安全 | ||
1.一种五氧化二钒薄膜的制备方法,包括如下步骤:
(1)将偏钒酸铵置于二甲基亚砜和乙二醇的混合溶剂中,加热溶解,制得五氧化二钒的前驱体溶液;接着将该前驱体溶液自然冷却至室温后待用;
(2)采用旋涂的方法将该五氧化二钒的前驱体溶液旋涂在基片上;
(3)将旋涂好的膜放在加热板上,200~300度加热45~60min,制得所述五氧化二钒薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述二甲基亚砜和乙二醇的体积比为1∶1~3。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:所述加热溶解温度为60~90℃,所述加热溶解的时间为10~14小时。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述旋涂速度为3000~4000rpm/min,旋涂时间为45~65s。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法,其特征在于:所述基片为ITO、FTO、柔性电极。
6.权利要求1-4中任一项所述的制备方法制备得到的五氧化二钒薄膜,其特征在于:所述五氧化二钒薄膜的晶粒尺寸大小均匀,膜的粗糙度为3~6nm。
7.权利要求6所述五氧化二钒薄膜作为界面层材料在太阳能电池中的应用,其中所述五氧化二钒薄膜作为空穴传输材料。
8.根据权利要求7所述的应用,其特征在于:所述的太阳能电池为钙钛矿太阳能电池,聚合物太阳能电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波工程学院,未经宁波工程学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810009321.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择