[发明专利]掩膜版的吸附装置及吸附方法、蒸镀设备及蒸镀方法

摘要

本发明提供了一种掩膜版的吸附装置及吸附方法、蒸镀设备及蒸镀方法，以解决蒸镀时掩膜版被吸附后FMM出现褶皱的问题。其中该吸附方法包括：从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，直至整个掩膜版与衬底基板相贴合。上述吸附方法应用于制造OLED显示面板的蒸镀过程中，以提高蒸镀质量。

主权项

1.一种掩膜版的吸附装置，其特征在于，所述吸附装置包括：

吸附部件，用于在蒸镀时吸附掩膜版，且能够同时对掩膜版的不同区域产生不同或相同的吸附力；

与所述吸附部件相连的控制器，用于控制所述吸附部件从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，直至整个掩膜版与衬底基板相贴合。

2.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述吸附部件包括：

第一载板；

分散布置于所述第一载板上的至少两个电磁铁，所述至少两个电磁铁能够同时产生相同的磁力，每个所述电磁铁包括铁芯，及缠绕于所述铁芯上的若干圈线圈；

至少两个开关，每个所述开关与至少一个所述电磁铁相连。

3.根据权利要求2所述的吸附装置，其特征在于，所述吸附部件还包括至少两个可变电阻，每个所述可变电阻与至少一个所述电磁铁相连。

4.根据权利要求3所述的吸附装置，其特征在于，所述至少两个电磁铁、所述至少两个开关和所述至少两个可变电阻一一对应的相串联，串联所形成的多条支路相并联。

5.根据权利要求2所述的吸附装置，其特征在于，所述至少两个电磁铁均匀或者以设定规则布置于所述第一载板上，所述设定规则根据掩膜版各个区域所需的吸附力而定。

6.根据权利要求5所述的吸附装置，其特征在于，所述电磁铁的铁芯为圆柱体，所述至少两个电磁铁呈阵列式竖立布置于所述第一载板上，或者呈至少两个同心圆环状竖立布置于所述第一载板上；或者，

所述电磁铁的铁芯为方柱体，所述至少两个电磁铁呈阵列式平躺布置于所述第一载板上。

7.根据权利要求6所述的吸附装置，其特征在于，相邻两个所述电磁铁之间的间隙小于或等于预估掩膜版产生褶皱的宽度值；

所述电磁铁的铁芯为圆柱体，所述铁芯的直径小于或等于预估掩膜版产生褶皱的宽度值；或者，所述电磁铁的铁芯为方柱体，所述铁芯的宽度小于或等于预估掩膜版产生褶皱的宽度值。

8.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述吸附部件包括：

柔性的第二载板；

分散布置于所述第二载板上的至少两个磁铁，所述至少两个磁铁能够同时产生相同的磁力。

9.根据权利要求8所述的吸附装置，其特征在于，所述吸附部件还包括刚性平板，用于在吸附掩膜版时，放置于所述第二载板与衬底基板之间，以承托所述第二载板。

10.根据权利要求8所述的吸附装置，其特征在于，所述磁铁为电磁铁或永磁铁。

11.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述吸附部件包括至少两个高斯单元，每个所述高斯单元包括第三载板，及布置于所述第三载板上的至少一个磁铁；

所述至少两个高斯单元能够独立升降，且能够同时产生相同的磁力；

在蒸镀时，所述至少两个高斯单元分别对应掩膜版的各个区域，以吸附整个掩膜版。

12.根据权利要求11所述的吸附装置，其特征在于，所述第三载板为长条状、方块状或圆饼状，所述磁铁为长方体或圆柱体。

13.根据权利要求11所述的吸附装置，其特征在于，所述磁铁为电磁铁或永磁铁。

14.一种掩膜版的吸附方法，其特征在于，所述吸附方法应用于如权利要求1～13任一项所述的掩膜版的吸附装置，所述吸附方法包括：从掩膜版的某一或某些区域开始吸附，然后由初始吸附区域逐渐扩大吸附范围，直至整个掩膜版与衬底基板相贴合。

15.根据权利要求14所述的吸附方法，其特征在于，所述吸附装置的吸附部件包括：第一载板、至少两个电磁铁和至少两个开关；

所述初始吸附区域为掩膜版的中央区域或者掩膜版的各FMM的中央区域，所述吸附方法包括：打开所述初始吸附区域对应的电磁铁，然后由所述初始吸附区域，呈向外辐射状，依次打开对应的电磁铁；或者，

所述初始吸附区域为掩膜版的平分线区域或者掩膜版的各FMM的平分线区域，所述吸附方法包括：打开所述初始吸附区域对应的电磁铁，然后由所述初始吸附区域，沿垂直于所述初始吸附区域的方向，向两侧依次打开对应的电磁铁；其中，所述平分线区域平行于所述FMM的长度方向，或者垂直于所述FMM的长度方向；或者，

所述初始吸附区域为掩膜版的一侧边缘区域或者掩膜版的各FMM的一侧边缘区域，所述吸附方法包括：打开所述初始吸附区域对应的电磁铁，然后由所述初始吸附区域，沿垂直于所述初始吸附区域的方向，向对侧依次打开对应的电磁铁。

16.根据权利要求14所述的吸附方法，其特征在于，所述吸附装置的吸附部件包括：柔性的第二载板和至少两个磁铁；

所述初始吸附区域为掩膜版的平分线区域，所述吸附方法包括：夹持所述第二载板的两侧，使所述第二载板呈U型自然下垂，且使所述第二载板垂下的部分正对所述初始吸附区域，控制所述第二载板逐渐下降，然后控制所述第二载板被夹持的两端逐渐下降，直至整个所述第二载板处于水平状态；其中，所述平分线区域平行于所述FMM的长度方向，或者垂直于所述FMM的长度方向；

所述初始吸附区域为掩膜版的一侧边缘区域，所述吸附方法包括：夹持所述第二载板的两侧，使所述第二载板呈倾斜状态，且使所述第二载板高度较低的一侧正对所述初始吸附区域，控制所述第二载板逐渐下降，然后控制所述第二载板的高度较高的一侧逐渐下降，直至整个所述第二载板处于水平状态；

所述初始吸附区域为掩膜版的中央区域，所述吸附方法包括：夹持所述第二载板的四边，使所述第二载板呈碗型自然下垂，且使所述第二载板垂下的部分正对所述初始吸附区域，控制所述第二载板逐渐下降，然后控制所述第二载板被夹持的四边逐渐下降，直至整个所述第二载板处于水平状态。

17.根据权利要求14所述的吸附方法，其特征在于，所述吸附装置的吸附部件包括至少两个高斯单元；

所述初始吸附区域为掩膜版的中央区域或者掩膜版的各FMM的中央区域，所述吸附方法包括：控制所述初始吸附区域对应的高斯单元下降，然后由所述初始吸附区域，呈向外辐射状，依次控制对应的高斯单元下降，直至全部所述高斯单元处于同一水平面上；

所述初始吸附区域为掩膜版的平分线区域或者掩膜版的各FMM的平分线区域，所述吸附方法包括：控制所述初始吸附区域对应的高斯单元下降，然后由所述初始吸附区域，沿垂直于所述初始吸附区域的方向，向两侧依次控制对应的高斯单元下降，直至全部所述高斯单元处于同一水平面上；其中，所述平分线区域平行于所述FMM的长度方向，或者垂直于所述FMM的长度方向；或者，

所述初始吸附区域为掩膜版的一侧边缘区域或者掩膜版的各FMM的一侧边缘区域，所述吸附方法包括：控制所述初始吸附区域对应的高斯单元下降，然后由所述初始吸附区域，沿垂直于所述初始吸附区域的方向，向对侧依次控制对应的高斯单元下降，直至全部所述高斯单元处于同一水平面上。

18.根据权利要求14所述的吸附方法，其特征在于，所述吸附装置的吸附部件包括具有均匀磁力的刚性高斯平板；

所述初始吸附区域为掩膜版的一侧边缘