[发明专利]感光电路、感光电路制备方法及显示装置有效
| 申请号： | 201780093255.9 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN110914749B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陈小明;赵云飞;李明亮;刘佳豪 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G09F9/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种感光电路(10)、感光电路(10)制备方法及显示装置。感光电路(10)包括第一薄膜晶体管(Tr)及第二薄膜晶体管(Tp)，第二薄膜晶体管的漏极(100)电连接第一薄膜晶体管的源极(110，191)，第一薄膜晶体管包括第一有源层(120)，第二薄膜晶体管包括第二有源层(130)，第一有源层(120)包括第一半导体部(121)，第二有源层(130)包括第二半导体部(131)，第一及第二半导体部(131)同层且间隔设置，第一有源层(120)包括第三半导体部(122)，第三半导体部(122)设置在第一半导体部(121)上，第二有源层(130)包括第四半导体部(132)，第四半导体部(132)设置在第二半导体部(131)上，第三及第四半导体部(132)同层且间隔设置，第一半导体部(121)邻近第一薄膜晶体管的栅极(140)，第四半导体部(132)邻近第二薄膜晶体管的栅极(150)，第三半导体部(122)的缺陷态的密度高于第一半导体部(121)的缺陷态的密度，第四半导体部(132)的缺陷态的密度高于第二半导体部(131)的缺陷态的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 感光 电路 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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