[发明专利]感光电路、感光电路制备方法及显示装置

说明书

一种感光电路(10)、感光电路(10)制备方法及显示装置。感光电路(10)包括第一薄膜晶体管(Tr)及第二薄膜晶体管(Tp)，第二薄膜晶体管的漏极(100)电连接第一薄膜晶体管的源极(110，191)，第一薄膜晶体管包括第一有源层(120)，第二薄膜晶体管包括第二有源层(130)，第一有源层(120)包括第一半导体部(121)，第二有源层(130)包括第二半导体部(131)，第一及第二半导体部(131)同层且间隔设置，第一有源层(120)包括第三半导体部(122)，第三半导体部(122)设置在第一半导体部(121)上，第二有源层(130)包括第四半导体部(132)，第四半导体部(132)设置在第二半导体部(131)上，第三及第四半导体部(132)同层且间隔设置，第一半导体部(121)邻近第一薄膜晶体管的栅极(140)，第四半导体部(132)邻近第二薄膜晶体管的栅极(150)，第三半导体部(122)的缺陷态的密度高于第一半导体部(121)的缺陷态的密度，第四半导体部(132)的缺陷态的密度高于第二半导体部(131)的缺陷态的密度。

技术领域

本发明涉及感光电路领域，尤其涉及一种感光电路、感光电路制备方法及显示装置。

背景技术

近年来，薄膜晶体管因为其迁移率高、透光性好、薄膜结构稳定、制备温度低以及成本低等优点受到越来越多的重视。薄膜晶体管的发展主要目标是用于平板显示、柔性电子器件、透明电子器件、液晶显示器、有机发光二极管以及传感器等方面。然而，当薄膜晶体管应用于感光电路时，会导致感光电路的光敏感性不强的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种感光电路。所述感光电路包括第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏极电连接所述第一薄膜晶体管的源极，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第一有源层包括第一半导体部，所述第二有源层包括第二半导体部，所述第二半导体部和所述第一半导体部位于同一层且间隔设置，所述第一有源层还包括第三半导体部，所述第三半导体部设置在所述第一半导体部上，所述第二有源层还包括第四半导体部，所述第四半导体部设置在所述第二半导体部上，所述第四半导体部与所述第三半导体部位于同一层且间隔设置，所述第一半导体部相较于所述第三半导体部邻近第一薄膜晶体管的栅极，所述第四半导体部相较于所述第二半导体部邻近所述第二薄膜晶体管的栅极，所述第三半导体部的缺陷态的密度高于所述第一半导体部的缺陷态的密度，所述第四半导体部的缺陷态的密度高于所述第二半导体部的缺陷态的密度，其中，所述第一有源层及所述第二有源层均为氧化物半导体层。

相较于现有技术，本发明的感光电路设置了两个薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管中的第三半导体部的缺陷态的密度大于所述第一半导体部的缺陷态的密度，且所述第一半导体部相较于所述第三半导体部邻近所述第一薄膜晶体管的第一栅极设置。在所述第一薄膜晶体管在工作的时候，由于所述第一半导体部相较于所述第三半导体部邻近所述第一薄膜晶体管的第一栅极设置，所述第一半导体部及所述第三半导体部形成的沟通层中的载流子大部分经由所述第一半导体部流过，且所述第一半导体部缺陷态的密度较小，从而使得所述第一薄膜晶体管具有较高的电子迁移率，较好的阈值电压稳定性。所述第二薄膜晶体管中的第四半导体部的缺陷态的密度大于所述第二半导体部的缺陷态的密度，且所述第四半导体部相较于所述第二半导体部邻近所述第二薄膜晶体管的第二栅极设置。在所述第二薄膜晶体管在工作的时候，由于所述第四半导体部相较于所述第二半导体部邻近所述第二薄膜晶体管的第二栅极设置，所述第二半导体部及所述第四半导体部形成的沟通层中的载流子大部分经由所述第四半导体部流过，且所述第四半导体部缺陷态的密度较大，从而使得所述第二薄膜晶体管具有较低的电子迁移率，较低的阈值电压稳定性。当采用这种制备方法制成的薄膜晶体管应用于感光电路时，可以提高感光电路的光敏感性。

本发明实施例还提供一种显示装置，其中，所述显示装置包括前述任意一实施方式所述的感光电路。

本发明实施例还提供一种感光电路制备方法，所述感光电路包括第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏极电连接所述第一薄膜晶体管的源极，所述感光电路制备方法包括：