[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780093209.9 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN110892526B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 梅田宗一郎;石岡岳规 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法包括：第一工序，通过选择性地冲压金属板来形成成为第一引线框的部分的同时，在形成第一引线框的第一折弯部的部分中的与第一导电层线接触的部分的位于基准方向的两侧的侧面，形成向基准方向凹陷的缺口部；第二工序，通过将第一引线框的一端部折弯为沿着基准方向向下方突出来形成第一折弯部；以及第三工序，通过第一导电性接合材料在基板的端部处将第一导电层的上端面与第一引线框的第一折弯部的下端面侧之间接合的同时，将第一导电性接合材料的一部分填入于缺口部内，并将第一导电层的上端面与第一折弯部的缺口部之间接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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