[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括：基板，在其上端面设置有多个导电层；半导体元件，其配置于所述基板的上端面，并且位于其下端面侧的第一端子电连接于设置在所述基板的上端面的第一导电层；封装部，封装所述基板以及半导体元件；第一引线框，其一端部在所述封装部内与所述第一导电层的上端面接触，其另一端部从所述封装部露出；以及第一导电性接合材料，其将所述基板的所述第一导电层的上端面与所述第一引线框的所述一端部的下端面侧接合且具有导电性，其中，在所述第一引线框的所述一端部具有：第一折弯部，其被折弯成沿着基准方向向下方突出，所述半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，通过选择性地冲压金属板来形成所述第一引线框的同时，在所述第一引线框的所述第一折弯部的与所述第一导电层线接触的部分的位于所述基准方向的两侧的侧面，形成凹陷的缺口部；

第二工序，通过将所述第一引线框的所述一端部折弯成沿着所述基准方向向下方突出来形成第一折弯部；以及

第三工序，通过所述第一导电性接合材料将所述基板的所述第一导电层的上端面与所述第一引线框的所述第一折弯部的下端面侧接合的同时，将所述第一导电性接合材料的一部分填入所述缺口部内，并将所述第一导电层的上端面与所述第一折弯部的所述缺口部之间接合。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第一折弯部的下端面侧与所述第一导电层的上端面在所述基准方向线接触。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第一导电性接合材料被沿着所述第一引线框的所述第一折弯部与所述第一导电层的上端面线接触的所述基准方向配置，并且将所述基板的所述第一导电层的上端面与所述第一折弯部的下端面侧接合。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第一引线框被配置为使得所述基板的端部所延伸的方向和所述第一折弯部的线接触的区域所延伸的所述基准方向成为相互平行。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第一引线框具有主体部，该主体部位于所述一端部与所述另一端部之间且被封装在所述封装部内。

6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第一引线框的所述一端部与所述另一端部具有相同的厚度。

7.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，所述第一导电性接合材料为焊锡材料。

8.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，所述半导体装置进一步包括：

第二引线框，其一端部与在所述封装部内的所述基板的上端面设置的第二导电层接触，另一端部从所述封装部露出；

第二导电性接合材料，其将所述基板的所述第一导电层与所述第二引线框的所述一端部接合且具有导电性；以及

连接件，将所述第二导电层与所述半导体元件的上端面侧的第二端子之间电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述半导体元件是MOSFET，在所述半导体元件中，所述第一端子是漏极端子、所述第二端子是栅极端子、在其上端面设置有面积比所述第二端子更大的作为第三端子的源极端子。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第一引线框的所述一端部的所述基准方向的宽度比所述第二引线框的所述一端部的所述基准方向的宽度更大。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，所述半导体装置进一步包括：

第三引线框，其一端部被电连接于位于所述封装部内的所述基板的所述第三端子，另一端部从所述封装部露出。