[发明专利]辐射检测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201780093161.1 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110914715B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 曹培炎;刘雨润 | 申请（专利权）人： | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 孙媛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区招商街道沿山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 辐射检测器被配置成吸收入射在所述辐射检测器的半导体单晶(106)上的辐射粒子，并产生载流子。所述半导体单晶(106)可以是CdZnTe单晶或CdTe单晶。所述制造方法可包括在半导体的基底(102)中形成凹进部(104)；在所述凹进部(104)中形成半导体单晶(106)；以及在所述基底(102)中形成重掺杂半导体区。所述半导体单晶(106)具有与所述基底(102)不同的组成。所述重掺杂半导体区与所述半导体单晶电(106)接触(119B)，并嵌入到基底(102)的本征半导体的一部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 检测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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