[发明专利]辐射检测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201780093161.1 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110914715B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 曹培炎;刘雨润 | 申请（专利权）人： | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 孙媛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区招商街道沿山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射 检测器 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造检测器的方法，包括：
在半导体的基底中形成凹进部；
在所述凹进部中形成半导体单晶，所述半导体单晶具有与所述基底不同的组成并且具有暴露的表面；
在所述基底中形成重掺杂半导体区，其中所述重掺杂半导体区与所述半导体单晶电接触，并且所述重掺杂半导体区嵌入到所述基底的本征半导体的一部分中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述重掺杂半导体区从所述半导体单晶与所述基底之间的界面延伸到所述基底的表面。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述凹进部之前，形成所述重掺杂半导体区。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述半导体单晶之前，形成所述重掺杂半导体区。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述半导体单晶的表面上形成电触点，并在所述半导体单晶的表面或者所述基底的表面上沉积钝化层；其中，所述电触点嵌入到所述钝化层中。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括抛光所述基底或所述半导体单晶，使得所述半导体单晶的表面与所述基底的表面共同延伸。
7.根据权利要求5所述的方法，还包括在所述钝化层和所述电触点上沉积导电材料层。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述钝化层包括二氧化硅或氮化硅。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包括硅、锗、GaAs或其组合。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体单晶是碲化镉锌单晶或碲化镉单晶。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述半导体单晶后，所述凹进部不包含所述半导体单晶之外的其它半导体材料。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述半导体单晶后，所述凹进部不包含半导体多晶。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述凹进部具有截头锥体、棱柱体、棱锥体、长方体、立方体或圆柱体的形状。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述凹进部包括在所述基底上形成掩模，并刻蚀所述基底的未被所述掩模覆盖的一部分。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述一部分通过湿式蚀刻、干式蚀刻或其组合来完成。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述凹进部中形成所述半导体单晶包括将半导体颗粒沉积到所述凹进部中，通过熔化所述半导体颗粒形成熔体，并且在所述凹进部中重结晶所述熔体。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述凹进部中重结晶所述熔体包括以使所述熔体重结晶为单晶的速率冷却所述熔体。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，冷却所述熔体是通过将所述熔体从温度大于等于所述半导体颗粒的熔点温度的区域移到温度低于所述熔点温度的另一区域。
19.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述半导体单晶包括使用气相前体。
20.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述基底结合到另一基底，在所述另一基底之中或之上包括有电子系统，其中，所述电子系统电连接到所述基底，并且所述电子系统被配置成处理在所述基底中产生的电信号。
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