[发明专利]二羧酸结晶的制造方法在审
| 申请号： | 201780091603.9 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110709376A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 小船井谅;野场将宏;入江裕;小山伸吾 | 申请（专利权）人： | 花王株式会社 |
| 主分类号： | C07C51/43 | 分类号： | C07C51/43;C07C51/353;C07C55/10;C07C57/15;C07B61/00 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;沈央 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种吸油量高的C4二羧酸结晶的制造方法。本发明的碳原子数为4的二羧酸结晶的制造方法，其中，包括在阴离子性高分子的存在下，自包含碳原子数为4的二羧酸或其盐的水溶液析出碳原子数为4的二羧酸的结晶的工序，且上述水溶液中的阴离子性高分子的含量相对于碳原子数为4的二羧酸的含量的质量比为5×10 | ||
| 搜索关键词： | 二羧酸 碳原子数 阴离子性高分子 析出 吸油量 质量比 制造 | ||
【主权项】：
1.一种碳原子数为4的二羧酸结晶的制造方法，其中，/n包括在阴离子性高分子的存在下，自包含碳原子数为4的二羧酸或其盐的水溶液析出碳原子数为4的二羧酸的结晶的工序，且所述水溶液中的阴离子性高分子的含量相对于碳原子数为4的二羧酸的含量的质量比为5×10
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