[发明专利]悬浮液和研磨方法有效
| 申请号： | 201780088760.4 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN110462791B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 岩野友洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社力森诺科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09K3/14 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 日本东京都港*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种悬浮液，其中，含有磨粒和液状介质，所述磨粒包含第1粒子和与该第1粒子接触的第2粒子，所述第1粒子含有二氧化铈，所述第1粒子的ζ电位为负，所述第2粒子含有4价金属元素的氢氧化物，所述第2粒子的ζ电位为正。 | ||
| 搜索关键词： | 悬浮液 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种悬浮液，其含有磨粒和液状介质，/n所述磨粒包含第1粒子和与该第1粒子接触的第2粒子，/n所述第1粒子含有二氧化铈，/n所述第1粒子的ζ电位为负，/n所述第2粒子含有4价金属元素的氢氧化物，/n所述第2粒子的ζ电位为正。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
