[发明专利]悬浮液和研磨方法

权利要求书

1.一种悬浮液，其含有磨粒和液状介质，

所述磨粒包含第1粒子和与该第1粒子接触的第2粒子，

所述第1粒子含有二氧化铈，

所述第1粒子的ζ电位为负，

所述第1粒子的平均粒径为15～1000nm，

所述第2粒子含有4价金属元素的氢氧化物，

所述第2粒子的ζ电位为正，

所述第2粒子的平均粒径为1～25nm，

所述第2粒子的平均粒径小于所述第1粒子的平均粒径。

2.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述4价金属元素的氢氧化物包含选自稀土金属元素的氢氧化物和锆的氢氧化物中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的悬浮液，其中，所述稀土金属元素包含选自铈、镨和铽中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述第1粒子的平均粒径为40nm以上。

5.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述第1粒子的平均粒径为500nm以下。

6.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述第2粒子的平均粒径为3nm以上。

7.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述第2粒子的平均粒径为15nm以下。

8.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述磨粒的平均粒径为20～1000nm。

9.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述磨粒的平均粒径为300nm以上。

10.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述磨粒的平均粒径为400nm以下。

11.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述磨粒的ζ电位在+10mV以上。

12.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述磨粒的ζ电位在+50mV以上。

13.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述磨粒的ζ电位在+200mV以下。

14.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，以所述磨粒整体为基准，所述磨粒中的二氧化铈的含量为50～95质量％。

15.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，以所述磨粒整体为基准，所述磨粒中的二氧化铈的含量为80质量％以上。

16.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，以所述磨粒整体为基准，所述磨粒中的二氧化铈的含量为85质量％以下。

17.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，以所述第1粒子的整体为基准，所述第1粒子中的二氧化铈的含量为50质量％以上。

18.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述第1粒子的含量为0.01～10质量％。

19.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述第1粒子的含量为0.5质量％以上。

20.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，所述第1粒子的含量为1质量％以下。

21.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，以所述磨粒整体为基准，所述磨粒中的4价金属元素的氢氧化物的含量为5～50质量％。

22.根据权利要求1所述的悬浮液，其中，以所述磨粒整体为基准，所述磨粒中的4价金属元素的氢氧化物的含量为15质量％以上。