[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置，具有：形成于衬底(1)的第一主面的第一导电型的第一漂移区域(4)、形成于衬底(1)的第一主面且形成至衬底(1)的比第一漂移区域(4)更深的位置的第一导电型的第二漂移区域(41)。还具备：与第二漂移区域相接的第二导电型的阱区域、从阱区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的源极区域、与阱区域分开且从第一漂移区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的漏极区域。通过沟道之后的电子的流路变宽，因此能够降低电阻。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：衬底；第一导电型的第一漂移区域，其形成于所述衬底的第一主面；第一导电型的第二漂移区域，其形成于所述衬底的第一主面，与所述第一漂移区域相接，且形成至所述衬底的比所述第一漂移区域更深的位置；第二导电型的阱区域，其形成于所述衬底的第一主面，且与所述第二漂移区域相接；第一导电型的源极区域，其在所述阱区域内从该阱区域的表面向垂直方向延伸设置；第一导电型的漏极区域，其在所述第一漂移区域内与所述阱区域分开，且从第一漂移区域的表面向垂直方向延伸设置；栅极绝缘膜，其与所述第二漂移区域、所述阱区域、所述源极区域相接而形成；栅电极，其以与所述栅极绝缘膜相接，且经由所述栅极绝缘膜与所述第二漂移区域、所述阱区域、所述源极区域相接的方式形成；源电极，其连接于所述源极区域及所述阱区域；漏电极，其连接于所述漏极区域。