[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

衬底；

第一导电型的第一漂移区域，其形成于所述衬底的第一主面；

第一导电型的第二漂移区域，其形成于所述衬底的第一主面，与所述第一漂移区域相接，且形成至所述衬底的比所述第一漂移区域更深的位置，该第二漂移区域的杂质浓度与所述第一漂移区域的杂质浓度相同；

第二导电型的阱区域，其形成于所述衬底的第一主面，且与所述第二漂移区域相接；

第一导电型的源极区域，其在所述阱区域内从该阱区域的表面向垂直方向延伸设置；

第一导电型的漏极区域，其在所述第一漂移区域内与所述阱区域分开，且从第一漂移区域的表面向垂直方向延伸设置；

栅极绝缘膜，其与所述第二漂移区域、所述阱区域、所述源极区域相接而形成；

栅电极，其以与所述栅极绝缘膜相接，且经由所述栅极绝缘膜与所述第二漂移区域、所述阱区域、所述源极区域相接的方式形成；

源电极，其连接于所述源极区域及所述阱区域；

漏电极，其连接于所述漏极区域。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述衬底为半绝缘性衬底或绝缘衬底。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述衬底为宽带隙半导体。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

具有与所述第二漂移区域相接而形成的栅极槽，所述栅极绝缘膜及所述栅电极形成于所述栅极槽的内表面。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极绝缘膜与所述阱区域相接的面积随着所述栅极槽的深度越深而越大。

6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极槽形成至比所述第二漂移区域更深处。

7.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述阱区域比所述栅极槽更深。

8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅电极、所述源电极、及所述漏电极全部为相同电压时，所述第二漂移区域完全耗尽化。

9.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一漂移区域的表面附近的杂质浓度较低。

10.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

还具备第二导电型的柱区域，该第二导电型的柱区域的一部分在所述第一漂移区域内形成至比该第一漂移区域更浅的位置，另一部分形成至所述栅极槽的底部并与所述源极区域相接，

所述柱区域与所述源电极为同电位。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述柱区域与所述栅极绝缘膜的与所述漏电极对置的面的至少一部分相接。

12.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

对所述漏电极施加规定的电压时，所述柱区域及所述第一漂移区域完全耗尽化。