[发明专利]用于熔融的多层非晶硒传感器的制造方法有效
| 申请号： | 201780085490.1 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110582854B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | J.朔伊尔曼;W.赵 | 申请（专利权）人： | 纽约州州立大学研究基金会 |
| 主分类号： | H01L31/0272 | 分类号： | H01L31/0272;H01L31/0376;H01L31/115;H01L27/14;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑冀之;陈岚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括非晶硒（a‑Se）的层和至少一个电荷阻挡层的传感器通过在沉积非晶硒之前将电荷阻挡层沉积在基板之上来形成，从而使得电荷阻挡层能够以升高的温度来形成。这种工艺不受a‑Se的结晶化温度所限制，从而导致有效的电荷阻挡层的形成，其能够实现所得到器件的改进信号放大。可以通过在分离的基板之上形成第一和第二非晶硒层，然后以相对低的温度熔融a‑Se层来制造传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 熔融 多层 非晶硒 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造传感器的方法，包括：/n在第一基板之上形成第一电荷阻挡层；/n在所述第一电荷阻挡层之上形成非晶硒的第一层；/n在第二基板之上形成第二电荷阻挡层；/n在所述第二电荷阻挡层之上形成非晶硒的第二层；/n使非晶硒的所述第一层与非晶硒的所述第二层接触以形成多层结构；/n加热所述多层结构以将非晶硒的所述第一层熔融至非晶硒的所述第二层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
