[发明专利]用于熔融的多层非晶硒传感器的制造方法

权利要求书

1.一种制造传感器的方法，包括：

在第一基板之上形成第一电荷阻挡层；

在所述第一电荷阻挡层之上形成非晶硒的第一层；

在第二基板之上形成第二电荷阻挡层；

在所述第二电荷阻挡层之上形成非晶硒的第二层；

使非晶硒的所述第一层与非晶硒的所述第二层接触以形成多层结构；

加热所述多层结构以将非晶硒的所述第一层熔融至非晶硒的所述第二层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电荷阻挡层和所述第二电荷阻挡层各自包括有机聚合物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电荷阻挡层和所述第二电荷阻挡层通过物理气相沉积、化学气相沉积或基于溶液的沉积而形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一基板包括电子读出器。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电荷阻挡层形成在像素电极之上。

6.根据权利要求1所述的方法，其中非晶硒的所述第一层的厚度小于非晶硒的所述第二层的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中非晶硒的所述第一层和非晶硒的所述第二层中的至少一个包括掺杂的非晶硒。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二基板包括电极玻璃或闪烁体。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一基板和所述第二基板中的至少一个是柔性基板。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述第二电荷阻挡层之前在所述第二基板之上形成高压电极。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述多层结构被加热至35^°C至60^°C之间的温度以熔融所述非晶硒的第一层、以及所述非晶硒的第二层。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述加热期间向所述多层结构施加压缩力。

13.根据权利要求1所述的方法，其中加热所述多层结构以熔融非晶硒的所述第一和第二层是在真空下执行的。

14.根据权利要求1所述的方法，其中熔融的非晶硒层没有孔隙。

15.一种制造传感器的方法，包括：

在基板之上形成电荷阻挡层；

在所述电荷阻挡层之上形成非晶硒层；以及

加热非晶硒的所述层以将所述非晶硒层熔融到所述电荷阻挡层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述基板是柔性基板。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述电荷阻挡层以至少200^°C的温度通过物理气相沉积或化学气相沉积来形成。

18.根据权利要求15所述的方法，其中将所述非晶硒层加热至35^°C至60^°C之间的温度以将所述非晶硒层熔融至所述电荷阻挡层。