[发明专利]用于驱控双极可开关功率半导体器件的控制装置、半导体模块和方法

摘要

本发明涉及一种用于驱控双极可开关功率半导体器件(1)的控制装置(2)，其中，控制装置(2)设计用于将电压(U)施加到功率半导体器件(1)的栅极端子上并且为了关断功率半导体器件(U)将电压(U)从第一电压值(UB+)降低到第二电压值(UB‑)，其中，控制装置(2)设计用于，为了关断功率半导体器件(1)首先将电压(U)从第一电压值(UB+)降低到去饱和值(Usat)并且随后将电压(U)从去饱和值(Usat)降低到第二电压值(UB‑)，其中，去饱和值(Usat)大于功率半导体器件(1)的夹断电压(UP)。

主权项

1.一种控制装置(2)，用于驱控双极可开关功率半导体器件(1)，其中，所述控制装置(2)设计用于将电压(U)施加到所述功率半导体器件(1)的栅极端子上并且为了关断所述功率半导体器件(U)而将所述电压(U)从第一电压值(U_B+)降低到第二电压值(U_B‑)，其中，所述控制装置(2)设计用于，为了关断所述功率半导体器件(1)，将所述电压(U)从所述第一电压值(U_B+)首先降低到去饱和值(U_sat)，并且随后将所述电压(U)从所述去饱和值(U_sat)降低到所述第二电压值(U_B‑)，其中，所述去饱和值(U_sat)大于所述功率半导体器件(1)的夹断电压(UP)，其中，所述控制装置(2)具有用于将具有所述第一电压值(U_B+)的电压(U)施加到所述栅极端子的第一开关(S1)和用于将具有所述第二电压值(U_B‑)的电压(U)施加到所述栅极端子的第二开关(S2)，其特征在于，所述控制装置(2)设计用于周期性地驱控所述第一开关(S1)和/或所述第二开关(S2)，并且通过规定用于驱控所述第一开关(S1)和/或所述第二开关(S2)的占空比来将所述电压(U)调整成所述去饱和值(U_sat)。