[发明专利]半导体装置和电力变换装置有效
| 申请号： | 201780083838.3 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110192284B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 古川智康;白石正树;守田俊章 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L25/07;H01L25/18;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 范胜杰;文志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置，其在将作为导电部件的金属板烧结接合在IGBT那样的具有栅极构造的半导体芯片上时，即使在烧结接合过程中进行加压，也难以在半导体芯片的栅极配线部产生过剩的应力，从而减少了特性不良。本发明的半导体装置的特征在于，具备以IGBT为代表的具有栅极构造的半导体芯片(105)，并具有在半导体芯片表面形成的第一栅极配线(206)和第二栅极配线(202)，并且具有以覆盖第一栅极配线的方式配置的发射极电极(205)和在发射极电极上方配置的烧结层，在半导体芯片表面，在包含发射极电极连接触点(506)以及栅极配线区域(503、504)的整个范围内连续存在至少包含发射极电极和烧结层而成的多层构造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电力 变换 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片；在上述半导体芯片的表面形成的第一栅极配线和第二栅极配线；以覆盖上述第一栅极配线的方式配置的发射极电极；以及配置在上述发射极电极上方的烧结层，在上述半导体芯片的表面，在包含发射极电极连接触点和栅极配线区域的整个范围内连续存在至少包含上述发射极电极和上述烧结层而构成的多层构造。
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