[发明专利]半导体装置和电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体芯片；

在上述半导体芯片的表面形成的内嵌在沟槽内的内嵌型的栅极；

与上述内嵌型的栅极在同一层形成的内嵌型的第一栅极配线；

相对于上述内嵌型的第一栅极配线配置在上层的第二栅极配线；

与上述第二栅极配线形成在同一层，以覆盖上述第一栅极配线的方式配置的发射极电极；以及

配置在上述发射极电极上方的烧结层，

在上述半导体芯片的表面，在包含发射极电极连接触点和栅极配线区域的整个范围内连续存在至少包含上述发射极电极和上述烧结层而构成的多层构造。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述发射极电极与上述烧结层之间具备以镍为所含成分的电极层来构成上述多层构造。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述栅极是侧栅极构造。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一栅极配线在上述沟槽内与上述栅极连接。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

上述侧栅极构造是上述栅极为侧墙栅极的侧墙栅极构造。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一栅极配线是与上述侧墙栅极连接的内嵌侧墙型栅极配线。

7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体芯片通过与上述烧结层分离的其他烧结层与二极管芯片一起与共同的陶瓷衬底上的集电极配线相接合。

8.一种电力变换装置，其从外部输入直流电力，并将输入的上述直流电力变换为交流电力来输出，其特征在于，

上述电力变换装置具备：

一对直流端子，其用于输入上述直流电力；

交流端子，其用于输出上述交流电力，且该交流端子的数量与上述交流电力的交流相数相同，

上述电力变换装置还具有以下的结构：对于上述相数的上述交流端子中的各个交流端子，在上述一对直流端子中的一个直流端子与另一个直流端子之间连接将两个并联电路串联连接的结构的串联电路，并且将构成上述串联电路的两个上述并联电路的相互连接点与该串联电路所对应的相的上述交流端子连接，上述并联电路是将开关元件和极性与该开关元件相反的二极管相互并联连接而成的并联电路，

上述并联电路由权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置构成。

9.根据权利要求8所述的电力变换装置，其特征在于，

上述开关元件由上述半导体芯片构成，

上述二极管由二极管芯片构成，

上述二极管芯片通过与上述烧结层分离的其他烧结层与上述半导体芯片一起与共同的陶瓷衬底上的集电极配线相接合。