[发明专利]具有外延嵌入性自对准电和光学限制的半导体光源在审
| 申请号： | 201780081435.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN110337765A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 阿布岛拉·德米尔 | 申请（专利权）人： | 阿布岛拉·德米尔 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 顾一明 |
| 地址： | 土耳其安卡拉比尔*** | 国省代码： | 土耳其;TR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种获得表面发射半导体光源的方法，其同时提供电和光学限制，并且使用嵌入结构以通过光刻工艺确定横向尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 光学限制 表面发射半导体 半导体光源 光刻工艺 嵌入结构 嵌入性 自对准 光源 | ||
【主权项】：
1.本发明是一种表面发射半导体光源，其特征在于：包括通过移相电流阻挡层(101)(PSCB层)，光模和电流限制开口(102)，顶部接触金属(103)，上镜层(104)，有源区(105)，下镜层(106)，基板(107)和底接触金属(108)。
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