[发明专利]具有外延嵌入性自对准电和光学限制的半导体光源

权利要求书

1.本发明是一种表面发射半导体光源，其特征在于：包括通过移相电流阻挡层(101)(PSCB层)，光模和电流限制开口(102)，顶部接触金属(103)，上镜层(104)，有源区(105)，下镜层(106)，基板(107)和底接触金属(108)。

2.根据权利要求1所述的面发光半导体光源，其特征在于，其包括的电流阻挡层(101)通过添加未掺杂或n掺杂的硅，硒或碲来放大。

3.根据权利要求1所述的表面发射半导体光源，其特征在于：所述上镜层(104)包括10-20个周期的层对。

4.根据权利要求1所述的表面发射半导体光源，其特征在于：所述下镜面层(106)包括20-40个周期的层对。

5.根据权利要求1所述的表面发射半导体光源，其特征在于：其包括的上镜层(104)和下镜层(106)由GaAs/AlGaAs,GaAs/AlAs或AlGaAs/AlAs层对组成。

6.根据权利要求1所述的表面发射半导体光源，其特征在于：其包括的有源区(105)由包含InGaAs,InGaAsN,InAlAs,InGaAsP,AlGaAs,GaAs或InAs的量子阱，点或量子线形成。

7.根据权利要求1所述的表面发射半导体光源，其特征在于：在磨损后形成外部区域所需的层(移相电流阻挡层(101)和周围层)优选由非铝材料构成，使得它们在暴露于空气时不被氧化。

8.根据权利要求1所述的表面发射半导体光源，其特征在于：移相电流阻挡层(101)具有可控的厚度获得引导和反向引导。

9.本发明涉及一种获得表面发射半导体光源的方法，其特征在于；包括以下的工艺步骤：

·包含下镜层(106)、有源区(105)和移相电流阻挡层(101)的层按照顺序被放大的第一次放大，

·光刻，其形成提供电限制和光学限制的内部开口(102)和形成包含移相电流阻挡层(101)的外部区域，

·上镜层(104)被放大的第二放大，

·通过放置底接触金属(108)和顶部接触金属(103)完成生产过程。

10.根据权利要求8所述的一种获得表面发射半导体光源的方法，其特征在于；在其光刻工艺步骤中使用标准UV光刻。

11.根据权利要求8所述的一种获得表面发射半导体光源的方法，其特征在于；在其光刻工艺步骤中使用电子束光刻。

12.根据权利要求8所述的一种获得表面发射半导体光源的方法，其特征在于；在其光刻工艺步骤中使用纳米压印光刻。