[发明专利]固态成像装置、制造固态成像装置的方法以及电子装置在审
申请号: | 201780076651.0 | 申请日: | 2017-09-25 |
公开(公告)号: | CN110073492A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 古桥隆寿 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/522;H01L27/088 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 张雪梅 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种固态成像装置,所述固态成像装置能够通过灵活的布局设计来减少布线层的数量并实现小型化。所述固态成像装置包括:第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括第一电极焊盘、通过第一通路连接到所述第一电极焊盘的第一布线、以及逻辑电路,所述第一电极焊盘、所述第一布线和所述逻辑电路形成于所述第一半导体芯片中;和第二半导体芯片,所述第二半导体芯片连接到所述第一半导体芯片,并且包括第二电极焊盘、通过第二通路连接到所述第二电极焊盘的第二布线、以及像素阵列,所述第二电极焊盘、所述第二布线和所述像素阵列形成于所述第二半导体芯片中。所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘接合在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的接合表面上而处于彼此偏移。偏移且接合的第一电极焊盘和第二电极焊盘在所述第一布线和所述第二布线中具有较长间距的布线的延伸方向上的总长度是具有所述较长间距的所述布线的延伸方向长度的两倍或更多。 | ||
搜索关键词: | 半导体芯片 焊盘 布线 固态成像装置 第二电极 第一电极 通路连接 接合 像素阵列形成 彼此偏移 布局设计 电子装置 接合表面 像素阵列 布线层 灵活的 偏移 延伸 制造 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,其包括:第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括第一电极焊盘、通过第一通路连接到所述第一电极焊盘的第一布线、以及逻辑电路,所述第一电极焊盘、所述第一布线和所述逻辑电路形成于所述第一半导体芯片中;和第二半导体芯片,所述第二半导体芯片连接到所述第一半导体芯片,并且包括第二电极焊盘、通过第二通路连接到所述第二电极焊盘的第二布线、以及像素阵列,所述第二电极焊盘、所述第二布线和所述像素阵列形成于所述第二半导体芯片中,其中所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘接合在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的接合表面上而处于彼此偏移,并且偏移且接合的所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘在所述第一布线和所述第二布线中具有较长间距的布线的延伸方向上的总长度是具有所述较长间距的所述布线的延伸方向长度的两倍或更多。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的