[发明专利]固态成像装置、制造固态成像装置的方法以及电子装置在审
申请号: | 201780076651.0 | 申请日: | 2017-09-25 |
公开(公告)号: | CN110073492A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 古桥隆寿 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/522;H01L27/088 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 张雪梅 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体芯片 焊盘 布线 固态成像装置 第二电极 第一电极 通路连接 接合 像素阵列形成 彼此偏移 布局设计 电子装置 接合表面 像素阵列 布线层 灵活的 偏移 延伸 制造 | ||
提供一种固态成像装置,所述固态成像装置能够通过灵活的布局设计来减少布线层的数量并实现小型化。所述固态成像装置包括:第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括第一电极焊盘、通过第一通路连接到所述第一电极焊盘的第一布线、以及逻辑电路,所述第一电极焊盘、所述第一布线和所述逻辑电路形成于所述第一半导体芯片中;和第二半导体芯片,所述第二半导体芯片连接到所述第一半导体芯片,并且包括第二电极焊盘、通过第二通路连接到所述第二电极焊盘的第二布线、以及像素阵列,所述第二电极焊盘、所述第二布线和所述像素阵列形成于所述第二半导体芯片中。所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘接合在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的接合表面上而处于彼此偏移。偏移且接合的第一电极焊盘和第二电极焊盘在所述第一布线和所述第二布线中具有较长间距的布线的延伸方向上的总长度是具有所述较长间距的所述布线的延伸方向长度的两倍或更多。
技术领域
本技术涉及固态成像装置、制造该固态成像装置的方法以及电子装置,更具体地涉及通过接合多个半导体芯片来构造固态成像装置的技术。
背景技术
传统上,在通过将包括半导体构件的半导体装置彼此接合来制造三维集成电路、固态成像装置等的情况下,使用了直接接合设置在半导体装置的接合表面上的Cu电极的方法。使用通过这种方法接合的Cu电极进行布线;然而,需要引导连接电极以在平面表面上连接Cu电极,并且根据配置电路的类型增加用于对连接电极进行布线的面积,这可能会妨碍半导体装置的小型化。
另一方面,例如,专利文献1提出了一种半导体装置,其包括:具有有源区的半导体层;使用有源区形成的半导体元件;通过将半导体层的一部分金属化而形成的以岛状方式与与有源区隔离的连接区;被设置成覆盖半导体层的一个主表面侧的绝缘膜;经由绝缘膜设置的面向半导体元件和连接区的电极;以及通过绝缘膜选择性地设置在将半导体元件或连接区与电极连接的部分中的所需部分处的接触部。根据专利文献1的技术,除了对布线进行引导之外,还可通过选择触点布置来形成期望的电路,因此,已经假设这可以减小半导体装置的尺寸。引用清单
专利文献
专利文献1:日本专利申请特开No.2014-072418
发明内容
本发明要解决的问题
然而,利用专利文献1中提出的技术,由于设计的灵活性受到限制,因此可以认为使半导体装置和固态成像装置小型化不能灵活地设计布局并且不能降低成本。
鉴于上述情况,已经做出本技术,并且本技术的目的是提供一种固态成像装置,其能够通过灵活的布局设计减少布线层的数量,并通过进一步使装置小型化来降低成本。
问题的解决方案
为了解决上述问题,作为本技术的实例的固态成像装置包括:第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括第一电极焊盘、通过第一通路连接到所述第一电极焊盘的第一布线、以及逻辑电路,所述第一电极焊盘、所述第一布线和所述逻辑电路形成于所述第一半导体芯片中;和第二半导体芯片,所述第二半导体芯片连接到所述第一半导体芯片,并且包括第二电极焊盘、通过第二通路连接到所述第二电极焊盘的第二布线、以及像素阵列,所述第二电极焊盘、所述第二布线和所述像素阵列形成于所述第二半导体芯片中,其中所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘接合在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的接合表面上而处于彼此偏移,并且偏移且接合的第一电极焊盘和第二电极焊盘在所述第一布线和所述第二布线中具有较长间距的布线的延伸方向上的总长度是具有所述较长间距的所述布线的延伸方向长度的两倍或更多。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的