[发明专利]具有钝化接触的光伏电池有效
申请号: | 201780072786.X | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN109983584B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 马切伊·克日什托夫·斯杜德林;兰伯特·约翰·吉林斯;艾弗特·尤金·本德;约翰·安克 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用自然科学研究组织TNO |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0368;H01L31/0745;H01L31/18 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体衬底(1),具有有源区(2)以及面向彼此的第一表面和第二表面。存在第一类型的钝化层(5),以用于在半导体衬底(1)的第一表面的部分上提供第一导电类型的电接触。半导体衬底(1)的有源区(2)与第一类型的钝化层(5)之间设置有介电层(4)。半导体衬底(1)的有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中提供有第一导电类型的掺杂。有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中的横向掺杂剂水平基本上一致。 | ||
搜索关键词: | 具有 钝化 接触 电池 | ||
【主权项】:
1.一种半导体衬底(1),具有有源区(2)以及面向彼此的第一表面和第二表面,所述半导体衬底(1)包括第一类型的钝化层(5),以用于在所述半导体衬底(1)的所述第一表面的部分上提供第一导电类型的电接触,其中,所述半导体衬底(1)的有源区(2)与所述第一类型的钝化层(5)之间设置有介电层(4),以及其中,所述第一导电类型的掺杂设置在所述半导体衬底(1)的所述有源区(2)的层(3)中,所述层(3)在所述第一表面附近,与所述第一类型的钝化层(5)对准,以及其中,所述有源区(2)的、所述第一表面附近的所述层(3)中的横向掺杂剂水平基本上一致。
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