[发明专利]具有钝化接触的光伏电池

权利要求书

1.一种半导体衬底(1)，具有有源区(2)以及面向彼此的第一表面和第二表面，所述半导体衬底(1)包括第一类型的钝化层(5)，以用于仅在所述半导体衬底(1)的所述第一表面的部分上提供第一导电类型的电接触，

其中，所述半导体衬底(1)的有源区(2)与所述第一类型的钝化层(5)之间设置有介电层(4)，以及

其中，所述第一导电类型的掺杂设置在所述半导体衬底(1)的所述有源区(2)的层(3)中，所述层(3)在所述第一表面附近，以及其中，所述有源区(2)的、所述第一表面附近的所述层(3)中的横向掺杂剂水平一致，

其中，所述有源区的所述层(3)的厚度在所述第一表面上变化，其中，所述有源区(2)在所述第一表面附近的所述层(3)的厚度和/或每单位面积的集成掺杂剂浓度在与所述第一类型的钝化层(5)竖直对应或对准的所述层(3)的第一区域(3-I)中比在与所述第一类型的钝化层(5)之间的区域竖直对应的所述层(3)的第二区域(3-II)中小。

2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，所述第一类型的钝化层(5)包括分布在所述第一表面上的栅格图案。

3.根据权利要求1或2所述的半导体衬底，其中，所述第一导电类型的掺杂剂还存在于所述介电层(4)中。

4.根据权利要求1或2所述的半导体衬底，还包括第二类型的钝化层(9)，以用于在所述半导体衬底(1)的所述第二表面上提供第二导电类型的电接触，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，

其中，所述半导体衬底(1)的所述有源区(2)与所述第二类型的钝化层(9)之间设置有介电层(8)。

5.根据权利要求1所述的半导体衬底，还包括第二类型的钝化层(5’)，以用于在所述半导体衬底(1)的所述第二表面的部分上提供第二导电类型的电接触，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，

其中，所述半导体衬底(1)的所述有源区(2)与所述第二类型的钝化层(5’)之间设置有介电层(4’)，以及

其中，所述第二导电类型的掺杂设置在所述半导体衬底(1)的所述有源区(2)的层(3’)中，所述层(3’)在所述第二表面附近且与所述第二类型的钝化层(5’)对准。

6.根据权利要求5所述的半导体衬底，其中，所述第二类型的钝化层(5’)包括分布在所述第二表面上的栅格图案。

7.根据权利要求5或6所述的半导体衬底，其中，所述有源区(2)的、所述第二表面附近的所述层(3’)中的横向掺杂剂水平一致。

8.根据权利要求5或6所述的半导体衬底，其中，所述有源区(2)在所述第二表面附近的所述层(3’)的厚度或每单位面积的集成掺杂剂浓度在与所述第二类型的钝化层(5’)竖直对应的所述层(3’)的第一区域(3-I’)中比在与所述第二类型的钝化层(5’)之间的区域竖直对应的所述层的第二区域(3-II’)中小。

9.根据权利要求5或6所述的半导体衬底，其中，所述第二导电类型的掺杂剂还存在于与所述第二类型的钝化层(5’)相邻的所述介电层(4’)中。

10.根据权利要求1或2所述的半导体衬底，还包括第二类型的钝化层(5b)，以用于在所述半导体衬底(1)的所述第一表面上提供第二导电类型的电接触，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，

其中，所述第一类型的钝化层(5)和所述第二类型的钝化层(5b)提供为布置成交叉图案的多晶硅层，

其中，所述半导体衬底(1)的所述有源区(2)与所述第二类型的钝化层(5b)之间设置有介电层(4)，以及

其中，所述第二导电类型的掺杂设置在所述半导体衬底(1)的所述有源区(2)的层(3b)中，所述层(3b)在所述第一表面附近且与所述第二类型的钝化层(5b)竖直对应。