[发明专利]3D NAND制造中的阶梯封装在审
| 申请号： | 201780072499.9 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110024125A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘龙植;巴特·J·范施拉芬迪克;纳格拉杰·尚卡尔;巴德里·N·瓦拉达拉简 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于在制造3D NAND结构期间在阶梯结构上沉积封装层以防止氧化物‑氧化物界面退化并防止字线穿通的方法和装置。封装层是在将氧化物沉积在阶梯结构上之前沉积在交替的氧化物层和氮化物层的阶梯结构上的含碳保形膜。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯结构 封装层 沉积 方法和装置 氧化物沉积 氧化物界面 氮化物层 氧化物层 保形膜 交替的 氧化物 穿通 字线 封装 制造 退化 | ||
【主权项】：
1.一种处理半导体衬底以制造3D NAND结构的方法，所述方法包括：提供具有阶梯图案的交替的第一氧化物层和氮化物层的衬底；以及在所述阶梯图案上沉积第二氧化物之前，沉积含碳封装层以封装所述第一氧化物层和氮化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
