[发明专利]化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板有效
| 申请号： | 201780070933.X | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN109964306B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 生川满久;铃木悠宜;大内澄人 | 申请（专利权）人： | 爱沃特株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C23C16/34;C30B25/18;C30B29/38;H01L21/205;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 化合物半导体基板的制造方法具备：在Si(硅)基板上形成SiC(碳化硅)层的工序；在SiC层上，在700℃以上且1000℃以下形成具有12nm以上且100nm以下的厚度的LT(Low Temperature)‑AlN(氮化铝)层的工序；以比形成LT‑AlN层时的温度高的温度，在LT‑AlN层上形成HT(High Temperature)‑AlN层的工序；在HT‑AlN层上形成Al(铝)氮化物半导体层的工序；在Al氮化物半导体层上形成GaN(氮化镓)层的工序；和在GaN层上形成Al氮化物半导体层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体基板的制造方法，具备：在Si基板上形成SiC层的工序；在所述SiC层上，在700℃以上且1000℃以下形成具有12nm以上且100nm以下的厚度的第1AlN层的工序；以比形成所述第1AlN层时的温度高的温度，在所述第1AlN层上形成第2AlN层的工序；在所述第2AlN层上形成包含Al的第1氮化物半导体层的工序；在所述第1氮化物半导体层上形成GaN层的工序；和在所述GaN层上形成包含Al的第2氮化物半导体层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
