[发明专利]化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板有效
| 申请号： | 201780070933.X | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN109964306B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 生川满久;铃木悠宜;大内澄人 | 申请（专利权）人： | 爱沃特株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C23C16/34;C30B25/18;C30B29/38;H01L21/205;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 制造 方法 以及 | ||
1.一种化合物半导体基板的制造方法，具备：
在Si基板上形成SiC层的工序；
在所述SiC层上，在800℃以上且850℃以下形成具有12nm以上且100nm以下的厚度的单晶的第1AlN层的工序；
以比形成所述第1AlN层时的温度高的温度，在所述第1AlN层上形成单晶的第2AlN层的工序；
在所述第2AlN层上形成包含Al的第1氮化物半导体层的工序；
在所述第1氮化物半导体层上形成GaN层的工序；
在所述GaN层上形成包含Al的第2氮化物半导体层的工序；以及
通过在所述GaN层的一部分掺杂C，从而将所述GaN层分为掺杂有C的C-GaN层及与所述C-GaN层接触且形成在所述C-GaN层上的并未掺杂C的u-GaN层的工序。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体基板的制造方法，其中，
在形成所述第2AlN层的工序中，以1000℃以上且1500℃以下的温度形成所述第2AlN层。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体基板的制造方法，其中，
在形成所述第2AlN层的工序中，以50nm以上且1000nm以下的厚度形成所述第2AlN层。
4.一种化合物半导体基板，是通过权利要求1所述的化合物半导体基板的制造方法制造的，
所述化合物半导体基板具备：
Si基板；
形成在所述Si基板上的SiC层；
形成在所述SiC层上的AlN层；
形成在所述AlN层上的包含Al的第1氮化物半导体层；
形成在所述第1氮化物半导体层上的GaN层；和
形成在所述GaN层上的包含Al的第2氮化物半导体层，
所述GaN层包括：
掺杂有C的C-GaN层；及
与所述C-GaN层接触且形成在所述C-GaN层上的并未掺杂C的u-GaN层，
在向第1电极与第2电极之间施加60秒的-30V的电压之后，停止所述电压的施加的情况下，从停止所述电压的施加起，到所述电压的施加后的所述第1电极与所述第2电极之间的静电电容相对于所述电压的施加前的所述第1电极与所述第2电极之间的静电电容的比率恢复到0.9以上的时间为施加了电压的时间的85％以内，其中所述第1电极在所述第2氮化物半导体层上与所述第2氮化物半导体层接触设置，所述第2电极在所述第2氮化物半导体层上与所述第2氮化物半导体层接触设置，且被设置为包围所述第1电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
