[发明专利]半导体器件和设计半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201780070652.4 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109952655B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张坤好;唐晨杰 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/36;H01L29/10;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 师玮;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：半导体结构，该半导体结构包括形成具有载流子电荷的载流子沟道的第一掺杂层(16)；第二掺杂层(13)，该第二掺杂层具有与第一掺杂层的导电类型相同的导电类型；势垒层，该势垒层隔着第二掺杂层接近所述半导体结构设置，其中，所述势垒层包括掺杂层(11)，该掺杂层具有与第二掺杂层的导电类型相反的导电类型；以及一组电极，该组电极提供和控制载流子沟道中的载流子电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体结构，该半导体结构包括形成具有载流子电荷的载流子沟道的第一掺杂层；第二掺杂层，该第二掺杂层具有与所述第一掺杂层的导电类型相同的导电类型；势垒层，该势垒层隔着所述第二掺杂层接近所述半导体结构设置，其中，所述势垒层包括部分掺杂层，所述部分掺杂层具有与所述第二掺杂层的导电类型相反的导电类型；以及一组电极，该组电极提供和控制所述载流子沟道中的载流子电荷。
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