[发明专利]形成用于纳米线FET器件的栅极间隔件的方法有效
| 申请号： | 201780070047.7 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109952653B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·史密斯;安东·德维利耶 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/66;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成环形栅半导体器件的方法，包括：提供在其上具有层状鳍片结构的衬底，该层状鳍片结构包括沟道部和牺牲部，沟道部和牺牲部各自沿层状鳍片结构的长度延伸，其中层状鳍片结构覆盖有替换栅极材料。在层状鳍片结构上方的替换栅极材料上形成有伪栅极，其中该伪栅极具有沿层状鳍片结构的长度延伸的临界尺寸。该方法还包括在伪栅极正下方形成栅极结构，该栅极结构包括金属栅极区和设置在金属栅极区的相反侧上的栅极间隔件，其中栅极结构的总临界尺寸等于伪栅极的临界尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 纳米 fet 器件 栅极 间隔 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成环形栅半导体器件的方法，包括：提供在其上具有层状鳍片结构的衬底，所述层状鳍片结构包括沟道部和牺牲部，所述沟道部和所述牺牲部各自沿所述层状鳍片结构的长度延伸，其中所述层状鳍片结构覆盖有替换栅极材料；在所述层状鳍片结构上方的所述替换栅极材料上形成伪栅极，其中所述伪栅极具有沿所述层状鳍片结构的所述长度延伸的临界尺寸；以及在所述伪栅极正下方形成栅极结构，所述栅极结构包括金属栅极区和设置在所述金属栅极区的相反侧上的栅极间隔件，其中所述栅极结构的总临界尺寸等于所述伪栅极的临界尺寸。
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