[发明专利]在纳米线和纳米板处理中防止块体硅电荷转移的方法有效
| 申请号： | 201780069522.9 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109952654B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·史密斯;安东·德维利耶 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法，包括提供在其上具有层状鳍结构的衬底。所述层状鳍结构包括基底鳍部分、设置在所述基底鳍部分上的牺牲部分和设置在所述牺牲部分上的沟道部分。在所述衬底上在所述层状鳍结构上方提供掺杂源膜，并且使掺杂材料从所述掺杂源膜扩散到所述层状鳍结构的除所述沟道部分之外的一部分中，以在所述层状鳍结构中形成扩散掺杂区。在所述衬底上在所述层状鳍结构的至少所述扩散掺杂区上方提供隔离材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 处理 防止 块体 电荷 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供在其上具有层状鳍结构的衬底，所述层状鳍结构包括基底鳍部分、设置在所述基底鳍部分上的牺牲部分和设置在所述牺牲部分上的沟道部分；在所述衬底上在所述层状鳍结构上方提供掺杂源膜；使掺杂材料从所述掺杂源膜扩散到所述层状鳍结构的除所述沟道部分之外的一部分中，以在所述层状鳍结构中形成扩散掺杂区；以及在所述衬底上在所述层状鳍结构的至少所述扩散掺杂区上方提供隔离材料。
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