[发明专利]在纳米线和纳米板处理中防止块体硅电荷转移的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

提供在其上具有层状鳍结构的衬底，所述层状鳍结构包括基底鳍部分、设置在所述基底鳍部分上的牺牲部分和设置在所述牺牲部分上的沟道部分；

在所述衬底上在所述层状鳍结构上方提供掺杂源膜；

使掺杂材料从所述掺杂源膜扩散到所述层状鳍结构的除所述沟道部分之外的一部分中，以在所述层状鳍结构中形成扩散掺杂区；以及

在所述衬底上在所述层状鳍结构的至少所述扩散掺杂区上方提供隔离材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述提供衬底包括：

将所述基底鳍提供为由经掺杂Si的块体形成的块体鳍；以及

在所述块体鳍上提供多层鳍结构，其中所述多层鳍结构包括将所述牺牲部分提供为与形成所述沟道部分的多个Si层交替的多个SiGe层。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述多个Si层中的每一者形成纳米线或纳米板。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述提供掺杂源膜包括仅在所述层状鳍结构的一部分上方提供所述掺杂源膜，所述掺杂源膜的位置被选择以防止所述掺杂材料扩散到所述沟道部分中。

5.如权利要求4所述的方法，其中选择所述掺杂源膜的所述位置以至少覆盖所述层状鳍结构的所述基底鳍部分的一部分。

6.如权利要求5所述的方法，其中选择所述掺杂源膜的所述位置以覆盖所述层状鳍结构的所述基底鳍部分。

7.如权利要求6所述的方法，其中选择所述掺杂源膜的所述位置以覆盖所述层状鳍结构的所述牺牲部分的一部分。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述扩散包括执行驱动退火加热以使所述掺杂材料扩散到所述层状鳍结构中。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述扩散还包括执行源极/漏极尖峰退火加热以使所述掺杂材料扩散到所述层状鳍结构中。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述扩散还包括调节所述驱动退火的时间和温度中的至少一者，以防止所述掺杂材料扩散到所述层状鳍结构的所述沟道部分中。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述提供隔离材料包括在所述衬底上形成浅沟槽隔离层以至少覆盖所述层状鳍结构的所述扩散掺杂区。

12.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在所述层状鳍结构上方提供屏蔽层，所述掺杂源膜设置在所述屏蔽层上。

13.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在所述扩散之前在所述掺杂源膜上方提供衬垫。

14.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

衬底；

鳍结构，所述鳍结构设置在所述衬底上，所述鳍结构包括：

半导体材料的基底鳍部分，所述基底鳍部分包括作为所述鳍结构的部分的扩散掺杂区，以及

半导体材料的沟道部分，所述沟道部分设置在所述基底鳍部分上并与所述基底鳍部分竖直地间隔开；

栅极结构，所述栅极结构布置在所述基底鳍部分与所述沟道部分之间并且包括导电材料，其中所述扩散掺杂区被配置为将所述基底鳍部分与所述栅极结构电隔离；以及

隔离结构，所述隔离结构形成在所述衬底上并且至少覆盖所述扩散掺杂区。

15.如权利要求14所述的半导体装置，其中所述鳍结构包括：

块体鳍，所述块体鳍提供为所述基底鳍部分并由经掺杂半导体材料块体形成；以及

多个竖直堆叠的半导体层，所述半导体层提供为所述沟道部分，其中所述多个竖直堆叠的半导体层彼此间隔开并掺杂为与所述掺杂半导体材料相同的极性类型，其中所述扩散掺杂区具有与所述掺杂半导体材料相反的极性类型以提供所述块体鳍的反向掺杂。