[发明专利]成像元件和电子设备有效
申请号: | 201780069410.3 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN110073491B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 森光淳 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/20;H01L31/0232;H04N23/12 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及一种能够提高窄波长带的光的检测精度的成像元件和电子设备。所述成像元件包括像素阵列,所述像素阵列包括用于获得图像的有效区域和在所述有效区域周围的周围区域。在所述有效区域内的各像素中设置被构造成透过具有各自不同波长的光的多种第一光学滤波器。在所述周围区域的第一像素中设置第二光学滤波器,第二光学滤波器具有比第一光学滤波器的透过带的带宽更短带宽的透过带。在与第一像素相邻的第二像素中设置第三滤波器,第三滤波器与第二光学滤波器的透过带的差为预定波长以上,或者具有等于或低于第二光学滤波器的透过率的透过率。本技术例如可以适用于CMOS图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 成像 元件 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种成像元件,包括:像素阵列,所述像素阵列包括用于获得图像的有效区域和在所述有效区域周围的周围区域,其中在所述有效区域内的各像素中设置被构造成透过具有各自不同波长的光的多种第一光学滤波器,在所述周围区域的第一像素中设置第二光学滤波器,第二光学滤波器具有比第一光学滤波器的透过带的带宽更短带宽的透过带,和在与第一像素相邻的第二像素中设置第三滤波器,第三滤波器与第二光学滤波器的透过带的差为预定波长以上,或者具有等于或低于第二光学滤波器的透过率的透过率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的