[发明专利]存储元件中的选择性写入有效
申请号: | 201780066495.X | 申请日: | 2017-10-13 |
公开(公告)号: | CN109891505B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | S·达斯;A·汉松;A·库马尔;P·阿加瓦尔;A·J·伯哈文纳加瓦拉;L·雪弗冷 | 申请(专利权)人: | 阿姆有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种将状态写入存储电路中的相关电子元件的方法,包括接收将状态写入相关电子元件的写命令;读取相关电子元件的存储的状态;比较该状态与存储的状态;以及当该状态和读取的状态不同时,使能写驱动器以将该状态写入相关电子元件。 | ||
搜索关键词: | 存储 元件 中的 选择性 写入 | ||
【主权项】:
1.一种将状态写入存储电路中的相关电子元件的方法,所述方法包括接收用于将状态写入所述相关电子元件的写命令;读取所述相关电子元件的存储的状态;比较所述状态与存储的状态;以及当所述状态与读取的状态不同时,使能写驱动器以将所述状态写入所述相关电子元件。
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