[发明专利]存储元件中的选择性写入有效

专利信息
申请号: 201780066495.X 申请日: 2017-10-13
公开(公告)号: CN109891505B 公开(公告)日: 2023-09-29
发明(设计)人: S·达斯;A·汉松;A·库马尔;P·阿加瓦尔;A·J·伯哈文纳加瓦拉;L·雪弗冷 申请(专利权)人: 阿姆有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 欧阳帆
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种将状态写入存储电路中的相关电子元件的方法,包括接收将状态写入相关电子元件的写命令;读取相关电子元件的存储的状态;比较该状态与存储的状态;以及当该状态和读取的状态不同时,使能写驱动器以将该状态写入相关电子元件。
搜索关键词: 存储 元件 中的 选择性 写入
【主权项】:
1.一种将状态写入存储电路中的相关电子元件的方法,所述方法包括接收用于将状态写入所述相关电子元件的写命令;读取所述相关电子元件的存储的状态;比较所述状态与存储的状态;以及当所述状态与读取的状态不同时,使能写驱动器以将所述状态写入所述相关电子元件。
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