[发明专利]存储元件中的选择性写入

权利要求书

1.一种将状态写入存储电路中的相关电子元件的方法，所述方法包括接收用于将状态写入所述相关电子元件的写命令；由传感器电路在连接所述相关电子元件和所述传感器电路的信号线上读取所述相关电子元件的存储的状态；比较所述状态与所述存储的状态；以及当所述状态与读取的状态不同时，使能写驱动器以将所述状态写入所述相关电子元件，其中使能写驱动器包括向连接到所述信号线的电压源线发射输出信号，该发射使得所述信号线的电压为所述电压源线的电压。

2.如权利要求1所述的方法，其中使能写驱动器包括从高阻抗状态重置到低阻抗状态或从低阻抗状态设置到高阻抗状态。

3.如权利要求1所述的方法，其中在跨感测放大器和所述相关电子元件耦合的位线上读取所述存储的状态的读数。

4.如权利要求3所述的方法，其中当所述状态与读取的状态相同时，将位线下拉到参考电压。

5.如权利要求3所述的方法，其中当所述状态与读取的状态不同时，将位线上拉到参考电压。

6.如权利要求1所述的方法，其中读取发生在读脉冲中，在读脉冲中写入是非活动的。

7.如权利要求1所述的方法，其中写入发生在写脉冲中，在写脉冲中读取是不活动的。

8.如权利要求6或7所述的方法，其中读脉冲和写脉冲在分开的时钟周期中完成。

9.如权利要求6或7所述的方法，其中读脉冲和写脉冲在单个时钟周期中完成。

10.如权利要求8所述的方法，其中时钟是进行脉动读取的定时脉冲。

11.如权利要求9所述的方法，其中时钟是进行脉动读取的定时脉冲。

12.如权利要求1所述的方法，包括在存储的状态与读取的状态是匹配状态的情况下，不写入要写入所述相关电子元件的所述状态。

13.如权利要求12所述的方法，其中，在包括读取存储的状态的第一时钟周期之后，在第二时钟周期中发生不写入要写入所述相关电子元件的所述状态。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述相关电子元件的状态能够由写驱动器控制为处于高阻抗状态和低阻抗状态之一。

15.一种存储电路，包括相关电子元件的阵列，所述相关电子元件的阵列设置有耦合到每个相关电子元件的第一信号线和传感器电路，所述传感器电路能够在连接所述相关电子元件和所述传感器电路的第一信号线上感测相关电子元件的状态；比较器电路，耦合到所述传感器电路以用于接收感测到的状态并用于接收要写入相关电子元件的状态；其中所述比较器电路包括耦合到逻辑电路的第一输出端子，所述逻辑电路具有耦合到第一信号线的第二输出端子，

其中比较器能够输出指示何时感测到的状态与接收的状态相同以及何时感测到的状态与接收的状态不同的数据信号，以及

其中，所述逻辑电路包括连接到所述第一信号线的电压源线，并且当感测到的状态与接收的状态不同时，所述比较器发射所述数据信号到所述电压源线，该发射使得所述第一信号线的电压为所述电压源线的电压以将所述状态写入所述相关电子元件。

16.如权利要求15所述的存储电路，其中第一信号线是多路复用位线。

17.如权利要求15所述的存储电路，其中比较器电路能够输出用于将相关电子元件的状态从低阻抗状态设置为高阻抗状态以及将状态从高阻抗状态重置为低阻抗状态的电压。

18.一种硬盘，包括如权利要求15所述的存储电路。

19.一种将数据保存到硬盘的方法，该方法如权利要求1所述。