[发明专利]三维阵列中电容耦接非易失性薄膜晶体管串

摘要

多栅极NOR闪存薄膜晶体管(TFT)串阵列被组织为有源条带的三维堆叠。每个有源条带包含连接到衬底电路的共享的源极子层和共享的漏极子层。有源条带中的数据储存由在有源条带与由相邻局部字线提供的多个控制栅极之间的电荷储存元件提供。每个有源条带的寄生电容用于消除到共享的源极的硬接线接地连接，使其成为半浮置或虚拟源极。通过每个有源条带的单个端口从衬底临时提供的预充电电压在源极和漏极上提供在读取、编程、编程禁止和擦除操作期间所需的适当电压。多个有源条上的TFT可以分开被预充电，然后在大规模并行操作中共同被读取、编程或擦除。

主权项

1.一种存储器结构，包括：具有实质平坦的表面的半导体衬底；有源条带的第一堆叠和有源条带的第二堆叠，所述有源条带的第一堆叠和所述有源条带的第二堆叠形成在所述半导体衬底的表面上并沿第一方向由预定距离分开，其中有源条带的每个堆叠包括两个或更多个有源条带，所述两个或更多个有源条带在两个或更多个隔离的平面上彼此叠放并沿第二方向彼此实质纵长对齐，所述第二方向实质平行于所述平坦的表面，并且其中每个有源条带包括设置在第二半导体层与第三半导体层之间的第一导电类型的第一半导体层，所述第二半导体层和所述第三半导体层各自为第二导电类型，所述第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层各自包括多晶硅或硅锗；电荷俘获材料；以及多个导体，每个导体沿实质垂直于所述平坦的表面的第三方向纵长延展，每个导体在所述导体的组内，该组导体设置在有源条带的所述第一堆叠与有源条带的所述第二堆叠之间并由所述电荷俘获材料与有源条带的每个堆叠分开，从而在每个有源条带中形成至少一个NOR串，每个NOR串包含多个储存晶体管，所述多个储存晶体管由所述有源条带的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层及其相邻的电荷俘获材料以及所述组内的所述导体形成。