[发明专利]二氧化硅测试探针和其他此类装置在审

专利信息
申请号: 201780064226.X 申请日: 2017-10-17
公开(公告)号: CN109890551A 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: D·W·小莱弗斯克;B·K·纳亚克;K·A·维兰德 申请(专利权)人: 康宁股份有限公司
主分类号: B23K26/00 分类号: B23K26/00;B82Y20/00;G01R1/067;B23K26/36;G02B6/10
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 徐鑫;乐洪咏
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 装置包括高纯度熔凝二氧化硅片,所述高纯度熔凝二氧化硅片具有小于500μm的厚度,其中,片包括片中的特征体,其中,特征体具有小于50μm的横截面尺寸和至少100nm的深度,其中,特征体相互间隔开的距离小于50μm,以及其中,二氧化硅不含研磨和抛光的标记。
搜索关键词: 特征体 熔凝二氧化硅 二氧化硅 高纯度 研磨和抛光 测试探针 装置装置
【主权项】:
1.一种装置,其包括高纯度熔凝二氧化硅片,所述高纯度熔凝二氧化硅片具有小于500μm的厚度,其中,片包括片中的特征体,其中,特征体具有小于50μm的横截面尺寸和至少100nm的深度,其中,特征体相互间隔开的距离小于100μm,以及其中,二氧化硅不含研磨和抛光的标记。
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