[发明专利]二氧化硅测试探针和其他此类装置在审
| 申请号： | 201780064226.X | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109890551A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | D·W·小莱弗斯克;B·K·纳亚克;K·A·维兰德 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/00 | 分类号： | B23K26/00;B82Y20/00;G01R1/067;B23K26/36;G02B6/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;乐洪咏 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 特征体 熔凝二氧化硅 二氧化硅 高纯度 研磨和抛光 测试探针 装置装置 | ||
1.一种装置，其包括高纯度熔凝二氧化硅片，所述高纯度熔凝二氧化硅片具有小于500μm的厚度，其中，片包括片中的特征体，其中，特征体具有小于50μm的横截面尺寸和至少100nm的深度，其中，特征体相互间隔开的距离小于100μm，以及其中，二氧化硅不含研磨和抛光的标记。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述特征体具有表明了酸蚀刻的钝化表面。
3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述特征体包括长度至少为1mm的拉长通道。
4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述拉长通道是大致线性的。
5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，至少部分的所述拉长通道相互平行。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述片是第一片，其中，所述通道具有堆叠和粘结到所述第一片的一片或多片额外的高纯度熔凝二氧化硅作为壁。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述特征体包括横截面尺寸小于1μm的凹痕或孔。
8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述凹痕或孔具有小于500nm的横截面尺寸。
9.一种测试探针装置，其包括高纯度熔凝二氧化硅片，所述高纯度熔凝二氧化硅片具有小于500μm的厚度，其中，片包括片中的特征体，其中，特征体具有小于50μm的横截面尺寸和至少100nm的深度，其中，特征体相互间隔开的距离小于50μm，以及其中，所述特征体包括长度至少1mm的拉长通道。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述二氧化硅不含研磨和抛光的标记。
11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述特征体具有表明了酸蚀刻的钝化表面。
12.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述拉长通道是大致线性的。
13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，至少部分的所述拉长通道相互平行。
14.一种纳米流体或微流体装置，其包括高纯度熔凝二氧化硅片，所述高纯度熔凝二氧化硅片具有小于500μm的厚度，其中，片包括片中的特征体，其中，特征体具有小于50μm的横截面尺寸和至少100nm的深度，其中，特征体相互间隔开的距离小于50μm。
15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述二氧化硅不含研磨和抛光的标记。
16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述特征体包括横截面尺寸小于1μm的凹痕或孔。
17.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述凹痕或孔具有小于500nm的横截面尺寸。
18.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述特征体还包括连接了凹陷或孔的通道。
19.如权利要求18所述的装置，其特征在于，所述片是第一片，其中，所述通道具有堆叠和粘结到所述第一片的一片或多片额外的高纯度熔凝二氧化硅作为壁。
20.如权利要求18所述的装置，其特征在于，所述第一片和所述一片或多片额外的高纯度熔凝二氧化硅的纯度是至少99.99％纯二氧化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于康宁股份有限公司，未经康宁股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780064226.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
