[发明专利]热传导性硅酮组合物、半导体装置以及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201780062925.0 申请日: 2017-10-18
公开(公告)号: CN110023409B 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 秋场翔太;辻谦一;山田邦弘 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C08L83/04 分类号: C08L83/04;C08K3/08;C08K5/5415;C09K5/14;H01L23/36;H01L23/373
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 杜丽利
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种含有下述成分(A)、(B)、(C)以及(D)的热传导性硅酮组合物。其中,成分(A)为由下述平均组成式(1)R1aSiO(4‑a)/2(1)(在通式(1)中,R1表示氢原子或一价烃基,a为满足1.8≤a≤2.2的数)表示、且在25℃下的运动粘度为10~100000mm2/s的有机聚硅氧烷;成分(B)为平均粒径3~600nm的银纳米粒子;成分(C)为除成分(B)以外的热传导性填充材料,其平均粒径为0.7~100μm,且具有10W/m℃以上的热传导率;成分(D)为选自铂族催化剂、有机过氧化物以及缩合反应用催化剂中的催化剂。
搜索关键词: 传导性 硅酮 组合 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一种热传导性硅酮组合物,其包含:下述成分(A)、成分(B)、成分(C)以及成分(D),其中,成分(A)为由下述平均组成式(1)表示、且在25℃下的运动粘度为10~100000mm2/s的有机聚硅氧烷,R1aSiO(4‑a)/2       (1)通式(1)中,R1表示氢原子或碳原子数为1~18的饱和或不饱和的一价烃基,a为满足1.8≤a≤2.2的数;成分(B)为平均粒径3~600nm的银纳米粒子,所述成分(B)相对于成分(A)100质量份为50~1700质量份;成分(C)为除成分(B)以外的热传导性填充材料,其平均粒径为0.7~100μm,且具有10W/m℃以上的热传导率,所述成分(C)相对于成分(A)100质量份为50~3000质量份;成分(D)为选自铂族催化剂、有机过氧化物以及缩合反应用催化剂中的催化剂,该成分(D)的配合量为催化剂量。
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