[发明专利]热传导性硅酮组合物、半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种热传导性硅酮组合物，其包含：

下述成分(A)、成分(B)、成分(C)以及成分(D)，其中，

成分(A)为由下述平均组成式(1)表示、且在25℃下的运动粘度为10～100000mm²/s的有机聚硅氧烷，

R¹_aSiO_(4-a)/2 (1)

通式(1)中，R¹表示氢原子、羟基或碳原子数为1～18的饱和或不饱和的一价烃基，a为满足1.8≤a≤2.2的数；

成分(B)为平均粒径3～600nm的银纳米粒子，所述成分(B)相对于成分(A)100质量份为50～1700质量份；

成分(C)为除成分(B)以外的银粉末，其平均粒径为0.7～20μm，且具有10W/m℃以上的热传导率，所述成分(C)的振实密度为3.0～7.0g/cm³、并且比表面积为0.08～2.0m²/g，所述成分(C)相对于成分(A)100质量份为50～3000质量份，

其中，银粉末的振实密度为通过下述方法得到的值：称量100g银粉末，用漏斗柔和地将其洒落在100ml量筒中后，将该量筒载置于振实密度测定仪上，并以落差距离20mm、60次/分钟的速度使装有银粉末的量筒自由落下600次，从而对已压缩的银粉末的容积进行测定，得到该值；

成分(D)为选自铂族催化剂、有机过氧化物以及缩合反应用催化剂中的催化剂，该成分(D)的配合量为催化剂量。

2.如权利要求1所述的热传导性硅酮组合物，其中，在150℃、90分钟的条件下加热后的热阻与加热前的热阻之比(加热后的热阻/加热前的热阻)的值为0.5以下，且(在150℃、90分钟的条件下加热后的粘接强度)/(在60℃、90分钟的条件下加热后的粘接强度)的值为2.0以上。

3.如权利要求1或2所述的热传导性硅酮组合物，其中，成分(B)的银纳米粒子的质量α与成分(C)的质量β的质量比α/β为0.03～40。

4.如权利要求1或2所述的热传导性硅酮组合物，其中，成分(A)的全部或一部分为成分(E)和/或成分(F)，

所述成分(E)为在1个分子中至少含有2个与硅原子键合的烯基的有机聚硅氧烷；

所述成分(F)为在1个分子中至少含有2个与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷。

5.如权利要求1或2所述的热传导性硅酮组合物，其进一步含有作为成分(G)的有机硅烷，

该有机硅烷由下述平均组成式(2)表示，

R²_bSi(OR³)_4-b (2)

在通式(2)中，R²表示选自碳原子数为1～18的任选具有取代基的饱和或不饱和的一价烃基、环氧基、丙烯酰基以及甲基丙烯酰基中的1种或2种以上的基团，R³表示碳原子数为1～18的一价烃基，b为满足1≤b≤3的数，

并且，相对于成分(A)100质量份，所述成分(G)的含量为0.1～20质量份。

6.一种半导体装置，其具备放热性电子部件和散热体，且将权利要求1～5中任一项所述的热传导性硅酮组合物介于所述放热性电子部件和散热体之间。

7.一种半导体装置的制造方法，该制造方法具有如下工艺：

在放热性电子部件和散热体之间，在施加0.01MPa以上的压力的状态下将权利要求1～5中任一项所述的热传导性硅酮组合物加热至80℃以上。