[发明专利]用于旁通高级DRAM存储器控制器的内部高速缓存的方法和装置有效
| 申请号： | 201780062063.1 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109952567B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 吉恩-弗朗索瓦·罗伊;法布里斯·德沃 | 申请（专利权）人： | 优普梅姆公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘雯鑫;杨林森 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种计算系统，包括：计算装置(102)，其具有指令控制下的一个或更多个处理器核(108)和存储器控制器(112)，该存储器控制器具有高速缓存存储器(114)；以及存储器电路(104)，其经由数据总线(106A)和地址总线(106B)耦合至存储器控制器，存储器电路(104)被适配成具有由设置在地址总线(106B)上的多个第一地址可访问的第一m位存储位置，计算装置(102)被设置成针对访问该第一m位存储位置的每个存储操作从多个第一地址中选择一个地址。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 旁通 高级 dram 存储器 控制器 内部 高速缓存 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.计算系统，包括：计算装置(102)，其具有一个或更多个受指令控制的处理核(108)和存储器控制器(112)，所述存储器控制器包括高速缓存存储器(114)；以及存储器电路(104)，其经由数据总线(106A)和地址总线(106B)耦合至所述存储器控制器(112)，所述存储器电路(104)被适配成具有能够由设置在所述地址总线(106B)上的多个第一地址访问的第一m位存储位置，所述计算装置(102)被配置成在所述多个第一地址中选择一个地址以便每个存储操作访问所述第一m位存储位置。
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